[发明专利]电荷泵电路

权利要求书

1.一种电荷泵电路，其特征在于包括：一组差分互补MOS开关电路、参考电压负反馈电路、一组NMOS电流镜、以及一组PMOS电流镜；其中，该组NMOS电流镜和该组PMOS电流镜分别连接至该差分互补MOS开关电路和该参考电压负反馈电路以提供镜像电流，并且，该参考电压负反馈电路与差分互补MOS开关互连，以便利用该参考电压负反馈电路为该差分互补MOS开关提供反馈。

2.根据权利要求1所述的电荷泵电路，其特征在于：该组差分互补MOS开关电路至少包括：源极相互连接的第十五MOS晶体管以及第十六MOS晶体管，源极相互连接的第五MOS晶体管以及第六MOS晶体管；该第五MOS晶体管漏极同时连接于第十六MOS晶体管的漏极和单位增益放大器的输入端；该第六MOS晶体管漏极同时连接于第十五MOS晶体管漏极和单位增益放大器的输出端。

3.根据权利要求1或2所述的电荷泵电路，其特征在于：该参考电压负反馈电路至少包括：源极相互连接的第七MOS晶体管以及第八MOS晶体管；栅漏短接用作负载管的第十二MOS晶体管，并且第十二MOS晶体管与第八MOS晶体管的漏极相连；一端与第八MOS晶体管栅极相连且另一端接地的第一电容；栅极与电源电压相连、漏极与第一电容及第八MOS晶体管栅极相连的第九MOS晶体管；第十MOS晶体管，其栅极接地，漏极与第九MOS晶体管漏极相连。

4.根据权利要求1或2所述的电荷泵电路，其特征在于：该组NMOS电流镜至少包括第一电流源，第一MOS晶体管，第二MOS晶体管，第三MOS晶体管，第四MOS晶体管；这四个MOS晶体管栅极相连，源极接地，第一MOS晶体管的漏极与第一电流源和第一MOS晶体管栅极相连，第二MOS晶体管的漏极与第九MOS晶体管的源极相连，第三MOS晶体管的漏极与第七、第八MOS晶体管的源极相连，第四MOS晶体管的漏极与第五、第六MOS晶体管的源极相连。

5.根据权利要求1或2所述的电荷泵电路，其特征在于：该组PMOS电流镜至少包括：第十一MOS晶体管，第十三MOS晶体管，第十四MOS晶体管；该三个MOS晶体管栅极相连，源极接电源电压，第十一MOS晶体管的漏极与第十MOS晶体管源极相连，第十三MOS晶体管的漏极、栅极与第七MOS晶体管的漏极相连，第十四MOS晶体管的漏极与第十五、第十六MOS晶体管的源极相连。

6.根据权利要求5所述的电荷泵电路，其特征在于，所述电荷泵电路布置在锁相环电路中，并且该第五MOS晶体管栅极与锁相环电路中鉴频鉴相器的正相下调信号输出端相连，该第六MOS晶体管栅极与锁相环电路中鉴频鉴相器的反相下调信号输出端相连，该第十五MOS晶体管栅极与锁相环电路中鉴频鉴相器的正相上调信号输出端相连，该第十六MOS晶体管栅极与锁相环电路中鉴频鉴相器的反相下调信号输出端相连。

7.根据权利要求5或6所述的电荷泵电路，其特征在于，该第一MOS晶体管、该第二MOS晶体管、该第三MOS晶体管、该第四MOS晶体管、该第五MOS晶体管、该第六MOS晶体管、该第七MOS晶体管、该第八MOS晶体管、该第九MOS晶体管是N型MOS晶体管。

8.根据权利要求5或6所述的电荷泵电路，其特征在于，该第十MOS晶体管、该第十一MOS晶体管、该第十二MOS晶体管、该第十三MOS晶体管、该第十四MOS晶体管、该第十五MOS晶体管、该第十六MOS晶体管是P型MOS晶体管。

9.根据权利要求5或6所述的电荷泵电路，其特征在于，该电荷泵电路还包括低通滤波网络，该低通滤波网络至少包括第二电容，该第二电容一端连接至该单位增益放大器的输入端，另一端接地。

10.根据权利要求9所述的电荷泵电路，其特征在于，第五MOS晶体管的漏极连接至该第十六MOS晶体管的漏极，所述第五MOS晶体管及第十六MOS晶体管的漏端均为电荷泵电路的输出电压端。

11.根据权利要求10所述的电荷泵电路，其特征在于，所述的电荷泵的输出电压端Vout经由低通滤波器与压控振荡器的输入端相连接。