[发明专利]太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，其包括以下步骤：

步骤S₁、加速P型离子并通过离子注入的方式在P型晶片背面形成P型局部掺杂区域；

步骤S₂、在P型晶片的表面中形成N型掺杂层；

步骤S₃、在P型晶片的表面和背面形成涂层，该涂层为钝化层和增透膜；

步骤S₄、在P型晶片表面形成表面电极；

步骤S₅、在P型晶片背面形成背面电极，该背面电极位于与该P型局部掺杂区域相对应的位置；

步骤S₆、将P型晶片在700--1100℃的温度下烧结，使金属电极元素和晶片共晶复合，

其中，所述的P型替换为N型时，N型同时替换为P型。

2.如权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，步骤S₁还包括以下步骤：

步骤S₁₁、将掩模板置于该P型晶片的背面；

步骤S₁₂、加速P型离子至500eV-50keV并通过离子注入的方式将该P型离子从该P型晶片背面注入；

步骤S₁₃、在P型晶片背面未被掩模板阻挡的区域形成P型局部掺杂区域，该P型局部掺杂区域的方块电阻为10-50Ω/□。

3.如权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，步骤S₂中通过离子注入或者热扩散的方法形成该N型掺杂层，所形成的N型掺杂层的方块电阻为60-120Ω/□。

4.如权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，步骤S₃中通过PECVD形成涂层，该涂层的钝化层为氧化硅、碳化硅、氧化铝、氮化硅或非晶硅薄膜中的一种或多种的叠层，该涂层的增透膜为氮化硅薄膜。

5.如权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，步骤S₄中采用银浆并通过丝网印刷法制作表面电极。

6.如权利要求1-5中任意一项所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，步骤S₅中采用银浆或银铝浆并通过丝网印刷法在与该P型局部掺杂区域相对应的区域上制作背面电极。

7.如权利要求6所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，步骤S₅还包括以下步骤：

步骤S₅₁、在该P型局部掺杂区域精确套印可烧穿钝化层的银浆或银铝浆并烘干；

步骤S₅₂、通过丝网印刷法镀压不烧穿钝化层的银浆；

步骤S₅₃、可烧穿钝化层的银浆或银铝浆和不烧穿钝化层的银浆连接以形成背面电极。

8.如权利要求7所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述银铝浆中铝的含量大于3％，所述百分比为铝占银铝浆总量的质量百分比。

9.一种使用如权利要求1所述的太阳能电池的制作方法制得的太阳能电池，其特征在于，其包括：

一P型晶片；

一位于该P型晶片背面中的P型局部掺杂区域；

一位于该P型晶片表面中的N型掺杂层；

分别位于该P型局部掺杂区域背面和该N型掺杂层表面的涂层，该涂层为钝化层和增透膜；

位于该N型掺杂层表面的表面电极；

以及位于该P型晶片背面的背面电极；

其中，所述表面电极和背面电极中的金属元素与晶片共晶复合，该背面电极位于与该P型局部掺杂区域相对应的位置，

其中，所述的P型替换为N型时，N型同时替换为P型。

10.如权利要求9所述的太阳能电池，其特征在于，该P型局部掺杂区域的方块电阻为10-50Ω/□。

11.如权利要求9所述的太阳能电池，其特征在于，该N型掺杂层的方块电阻为60-120Ω/□。

12.如权利要求9所述的太阳能电池，其特征在于，该涂层的钝化层为氧化硅、碳化硅、氧化铝、氮化硅或非晶硅薄膜中的一种或多种的叠层，该涂层的增透膜为氮化硅薄膜。