[发明专利]太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，其包括以下步骤：

步骤S₁、在P型晶片表面中形成N+型掺杂层，该N+型掺杂层中具有N++型重掺杂区域；

步骤S₂、在P型晶片背面中形成P型掺杂层；

步骤S₃、在P型晶片表面和背面形成涂层，该涂层为钝化层和增透膜；

步骤S₄、在P型晶片表面形成表面电极，该表面电极位于与该N++型重掺杂区域相对应的位置；

步骤S₅、在P型晶片背面形成背面电极；

步骤S₆、将P型晶片在700--1100℃烧结，使金属电极元素和晶片共晶复合，

其中，所述的P型替换为N型时，N型同时替换为P型。

2.如权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，步骤S₁中形成的N+型掺杂层的方块电阻为60-120Ω/□，N++型重掺杂区域的方块电阻为10-50Ω/□。

3.如权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，步骤S₁还包括以下步骤：

步骤S₁₁、在该P型晶片表面设置掩模板，加速N型离子并通过离子注入的方式将该N型离子从该P型晶片的表面注入至未被该掩模板覆盖的P型晶片中；

步骤S₁₂、去除掩模板，加速N型离子并通过离子注入的方式将该N型离子从该P型晶片的表面注入至该P型晶片中。

4.如权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，步骤S₁还包括以下步骤：

步骤S_11’、加速N型离子并通过离子注入的方式将该N型离子从该P型晶片的表面注入至该P型晶片中；

步骤S_12’、在该P型晶片表面设置掩模板，加速N型离子并通过离子注入的方式将该N型离子从该P型晶片的表面注入至未被该掩模板覆盖的P型晶片中。

5.如权利要求3或4所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述N型离子被加速至500eV-50keV。

6.如权利要求1-4中任意一项所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，步骤S₂中将P型离子加速至500eV-50keV并通过离子注入的方式将该P型离子从该P型晶片背面注入以在P型晶片背面形成P型掺杂层，该P型掺杂层的方块电阻为10-80Ω/□。

7.如权利要求1-4中任意一项所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，步骤S₃中通过PECVD形成涂层，该涂层的钝化层为氧化硅、碳化硅、氧化铝、氮化硅或非晶硅薄膜中的一种或多种的叠层，该涂层的增透膜为氮化硅薄膜。

8.如权利要求1-4中任意一项所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，步骤S₄中采用银浆并通过丝网印刷法在与所述N++型重掺杂区域相对应的位置上制作表面电极。

9.如权利要求1-4中任意一项所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，步骤S₅中采用银铝浆并通过丝网印刷法制作背面电极，所述银铝浆中铝的含量大于3％，所述百分比为铝占银/铝浆总量的质量百分比。

10.一种如权利要求1所述的太阳能电池的制作方法制得的太阳能电池，其特征在于，其包括：

一P型晶片；

一位于该P型晶片表面的N+型掺杂层，该N+型掺杂层中具有N++型重掺杂区域；

一位于该P型晶片背面的P型掺杂层；

分别位于该N+型掺杂层表面和该P型掺杂层背面的涂层，该涂层为钝化层和增透膜；

位于该N+型掺杂层表面的表面电极；

位于该P型掺杂层背面的背面电极；

其中，该表面电极和背面电极中的金属元素与晶片共晶复合，该表面电极位于与该N++型重掺杂区域相对应的位置，

其中，所述的P型替换为N型时，N型同时替换为P型。

11.如权利要求10所述的太阳能电池，其特征在于，该N+型掺杂层的方块电阻为60-120Ω/□，该N++型重掺杂区域的方块电阻为10-50Ω/□。