[发明专利]可用于相变存储的相变材料及调节其相变参数的方法无效
| 申请号： | 201010619461.9 | 申请日： | 2010-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102544361A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 饶峰;任堃;宋志棠;吴良才 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C01B19/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 王松 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 相变 存储 材料 调节 参数 方法 | ||
1.一种可用于相变存储的相变材料，其特征在于，所述相变材料为锡、锑、碲三种元素组成的存储材料。
2.根据权利要求1所述的可用于相变存储的相变材料，其特征在于：
所述存储材料中，锡的原子百分比含量为0.1-90％。
3.根据权利要求1所述的可用于相变存储的相变材料，其特征在于：
所述存储材料中，碲的原子百分比含量为0.1-90％。
4.根据权利要求1所述的可用于相变存储的相变材料，其特征在于：进一步对相变材料SnxSbTey进行掺杂，掺杂剂量原子百分含量在0-90％之间；
掺杂元素为锗、硒、磷、硫、金、银、铟、钛、钨、铝、锡、铋、镓、硼、氧、氮、氢、或稀土元素中一种，或为上述几种元素的混合掺杂。
5.根据权利要求1至4之一所述的可用于相变存储的相变材料，其特征在于：
所述相变材料在外部能量作用下具有可逆变化。
6.根据权利要求5所述的可用于相变存储的相变材料，其特征在于：
所述相变材料在不同状态之间的可逆转变是通过电驱动、激光脉冲驱动或电子束驱动实现的。
7.根据权利要求5所述的可用于相变存储的相变材料，其特征在于：
在相变存储中，相变存储器的低阻态对应所述相变材料全部或部分结晶，相变存储器的高阻态对应所述相变材料的非晶态。
8.根据权利要求5所述的可用于相变存储的相变材料，其特征在于：
脉冲电压的强度为0.001-20V，对应的脉冲宽度为0.001-1000ns。
9.一种可用于相变存储的相变材料，其特征在于，所述相变材料包括锡、锑、碲三种元素；
进一步对相变材料SnxSbTey进行掺杂，掺杂剂量原子百分含量在0-90％之间；
掺杂元素为锗、硒、磷、硫、金、银、铟、钛、钨、铝、锡、铋、镓、硼、氧、氮、氢、或稀土元素中一种，或为上述几种元素的混合掺杂。
10.一种调节权利要求1至9之一所述相变材料结晶温度和熔点的方法，其特征在于，通过控制相变材料中各元素的含量，精确调节材料的结晶温度、熔点和相变速度。
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