[发明专利]双重曝光方法

权利要求书

1.一种双重曝光方法，其特征在于包括步骤：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上涂布光刻胶材料；

在所述光刻胶材料上涂布阻挡层材料；以及

在涂布阻挡层材料之后执行双重曝光。

2.根据权利要求1所述的双重曝光方法，其特征在于，其中所述在涂布阻挡层材料之后执行双重曝光的步骤包括：

利用第一张掩膜版对所述阻挡层材料进行曝光，使阻挡层材料的第一部分区域发生漂白反应；

利用第一张掩膜版对所述光刻胶进行曝光，以在所述光刻胶材料中形成第一潜像；

利用第二张掩膜版对所述阻挡层材料进行曝光，使阻挡层材料的第二部分区域发生漂白反应；以及

利用第二张掩膜版对所述光刻胶进行曝光，以在所述光刻胶材料中形成第二潜像。

3.根据权利要求1或2所述的双重曝光方法，其特征在于，其中，所述双重曝光方法还包括：在所述执行双重曝光的步骤之后，对所述半导体衬底进行显影，从而在所述光刻胶上留下双重曝光的图形。

4.根据权利要求1或2所述的双重曝光方法，其特征在于，其中，所述光刻胶材料为KrF光刻胶和/或ArF光刻胶。

5.根据权利要求2所述的双重曝光方法，其特征在于，其中，在执行在所述光刻胶材料上涂布阻挡层材料的步骤之前、和/或在执行利用第一张掩膜版对所述阻挡层材料进行曝光的步骤之前，对所述半导体衬底进行烘烤。

6.根据权利要求1或2所述的双重曝光方法，其特征在于，其中，所述阻挡层材料包含聚合物成分，且所述聚合物成分中含有吸收部分，所述吸收部分可在光照下发生漂白反应。

7.根据权利要求6所述的双重曝光方法，其特征在于，其中，所述聚合物成分中的吸收部分发生漂白反应的光照波长和所述光刻胶的光学成像波长相同，并且光照后发生漂白反应的部分的光吸收小于未漂白部分的光吸收。

8.根据权利要求6或7所述的双重曝光方法，其特征在于，其中，所述聚合物成分中还含有酸性成分，使得光照后所述阻挡层材料可溶解于碱性溶液。

9.根据权利要求1或2所述的双重曝光方法，其特征在于，其中，所述阻挡层材料的吸光系数大于所述光刻胶的吸光系数。

10.根据权利要求1或2所述的双重曝光方法，其特征在于，其中，在利用所述第一张掩膜版分别对所述阻挡层材料和所述光刻胶进行曝光时，阻挡层材料的曝光能量小于光刻胶的曝光能量；和/或

在利用所述第二张掩膜版分别对所述阻挡层材料和所述光刻胶进行曝光时，阻挡层材料的曝光能量小于光刻胶的曝光能量。

11.根据权利要求1或2所述的双重曝光方法，其特征在于，其中，所述阻挡层材料的厚度小于所述光刻胶的厚度。

12.根据权利要求1或2所述的双重曝光方法，其特征在于，其中，在利用所述第一张掩膜版分别对所述阻挡层材料和所述光刻胶进行曝光时，掩膜版的位置不变。

13.根据权利要求1或2所述的双重曝光方法，其特征在于，其中，在利用所述第二张掩膜版分别对所述阻挡层材料和所述光刻胶进行曝光时，掩膜版的位置不变。

14.根据权利要求1或2所述的双重曝光方法，其特征在于，其中，所述第一张掩膜版和所述第二张掩膜版可以具备相同的图形。

15.根据权利要求1或2所述的双重曝光方法，其特征在于，其中，所述第二张掩膜版在所述第一张掩膜版的基础上移动半个空间节距。

16.根据权利要求1或2所述的双重曝光方法，其特征在于，其中，在对所述半导体衬底进行显影之前，需要对所述衬底进行曝光后烘烤。