[发明专利]一种相变存储材料及其制备方法

权利要求书

1.一种相变存储材料，其特征在于：所述相变存储材料包括铝锑二元材料，所述铝锑二元材料的组成式为Al_xSb_1-x，且0＜x＜1。

2.根据权利要求1所述的相变存储材料，其特征在于：所述相变存储材料还包括对铝锑二元材料进行掺杂的掺杂材料，所述掺杂材料为氧、氮、硼、硅、锗中的一种或多种。

3.根据权利要求2所述的相变存储材料，其特征在于：所述相变存储材料中的铝材料的原子百分比为1％～20％。

4.一种相变存储材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一，制备好Al靶和Sb靶；

步骤二，采用双靶磁控共溅射的方法对Al靶和Sb靶进行共溅射，在共溅射得同时通入Ar气；具体的工艺参数如下：Al靶采用射频功率电源；Sb靶采用直流电源，溅射气压为0.26Pa。

5.根据权利要求4所述的相变存储材料的制备方法，其特征在于：所述Al靶和Sb靶的原子百分比纯度均为99.999％，直径均为75mm，厚度均为5mm。

6.根据权利要求4所述的相变存储材料的制备方法，其特征在于：所述Ar气的纯度为99.999％。

7.根据权利要求4至6任意一项所述的相变存储材料的制备方法，其特征在于：Al靶采用的射频功率电源的射频功率为20W，Sb靶采用的直流电源的直流功率为25W，薄膜组分为Al_0.2Sb_0.98。

8.根据权利要求4至6任意一项所述的相变存储材料的制备方法，其特征在于：Al靶采用的射频功率电源的射频功率为60W，Sb靶采用的直流电源的直流功率为25W，薄膜组分为Al_0.18Sb_0.82。