[发明专利]单分子检测方法

权利要求书

1.一种单分子检测方法，其主要包括以下步骤：

提供一分子载体，所述分子载体包括一基底，所述基底一表面设置有多个三维纳米结构，在所述三维纳米结构表面及相邻三维纳米结构之间的基底的表面形成有金属层；

在所述金属层远离基底的表面组装待测物分子；

利用检测器对组装在基底上的所述待测物分子进行检测。

2.如权利要求1所述的单分子检测方法，其特征在于，所述金属层的厚度为2nm～200nm。

3.如权利要求1所述的单分子检测方法，其特征在于，所述分子载体的制备方法包括以下步骤：

提供一基底，所述基底具有一表面；

在所述基底的表面形成掩膜层；

采用反应性刻蚀气体对所述基底的表面进行刻蚀，在所述基底的表面形成三维纳米结构；以及

去除所述掩膜层。

4.如权利要求1所述的单分子检测方法，其特征在于，所述在基底的表面形成掩膜层的方法为在所述基底的表面形成单层纳米微球。

5.如权利要求4所述的单分子检测方法，其特征在于，所述在基底的表面形成单层纳米微球的方法为提拉法或旋涂法。

6.如权利要求3所述的单分子检测方法，其特征在于，所述采用反应性刻蚀气体对所述基底的表面进行刻蚀的步骤在一微波等离子体系统中进行。

7.如权利要求3所述的单分子检测方法，其特征在于，所述在所述基底的表面形成掩膜层的方法为在所述基底的表面形成具有多个开孔的连续膜。

8.如权利要求1所述的单分子检测方法，其特征在于，所述分子载体的制备方法包括以下步骤：

提供一基底，所述基底具有一表面；

在所述基底的表面形成掩膜层；

采用反应性刻蚀气体对所述基底的表面进行刻蚀的同时对所述掩膜层进行腐蚀，在所述基底的表面形成多个阶梯状的三维纳米结构；以及

去除所述掩膜层。

9.如权利要求1所述的单分子检测方法，其特征在于，所述组装待测物分子的制备方法为：

提供一待测物分子的溶液，将所述形成有金属层的分子载体浸入待测物溶液中；

浸入一定时间后，将所述分子载体取出，然后用水或乙醇对所述分子载体进行冲洗；以及

对所述分子载体进行干燥，将所述待测物分子组装在金属层表面。