[发明专利]一种多晶铸锭晶体的生长工艺

权利要求书

1.一种多晶铸锭晶体的生长工艺，适用于DSS450多晶铸锭炉，其特征是：对晶体生长过程中的长晶时间、长晶温度和长晶初期隔热笼提升位置的调整带动功率的PID控制输出，形成避免熔硅组分过冷的可抑制微晶形成的渐增式功率变化趋势。

2.根据权利要求1所述的一种多晶铸锭晶体的生长工艺，其特征是：所述的晶体生长过程中的长晶时间、长晶温度和长晶初期隔热笼提升位置的调整具体为G1长晶时间0.3h～1.3h、温度设定值1429℃～1435℃、隔热笼提升7cm～9cm，G2长晶时间2.0h～4.0h、温度设定值1429℃～1435℃、隔热笼提升9cm～11cm，G3长晶时间1.0h～3.0h、温度设定值1427℃～1433℃、隔热笼提升11cm～13cm，G4长晶时间4.0h～6.0h、温度设定值1427℃～1433℃、隔热笼提升13cm～15cm，G5长晶时间4.0h～6.0h、温度设定值1425℃～1431℃、隔热笼提升14cm～16cm，G6长晶时间7.0h～10.0h、温度设定值1423℃～1429℃、隔热笼提升14cm～16cm，G7长晶时间3.0h～5.0h、温度设定值1417℃～1423℃、隔热笼提升14cm～16cm。