[发明专利]一种金属表面残留物的去除方法无效
| 申请号： | 201010619948.7 | 申请日： | 2010-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102543674A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 陈东强;彭洪修;王胜利;刘兵;孙广胜 | 申请（专利权）人： | 安集微电子(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23G1/24 |
| 代理公司： | 上海翰鸿律师事务所 31246 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张江高*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金属表面 残留物 去除 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种金属表面残留物的去除方法，包括：
1)清洗液清洗；
2)低温去离子水清洗；
3)表面干燥。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：在所述低温去离子水清洗后包含常温去离子水清洗。
3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述清洗液包括含羟胺类的清洗液或含氟化物的清洗液。
4.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述低温去离子水的温度范围选自1～20℃。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于：所述低温去离子水的温度范围选自5～15℃。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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