[发明专利]硅太阳电池片的光致热扩散制结方法

权利要求书

1.一种硅太阳电池片的光致热扩散制结方法，其特征在于：该方法是在硅片表面均匀涂覆一层N型浆料或P型浆料，用加热光源照射，使N型浆料或P型浆料在加热光源照射下快速升温，在高温作用下N型浆料或P型浆料中的掺杂剂向硅片表层扩散，形成P-N结或高低结。

2.如权利要求1所述的硅太阳电池片的光致热扩散制结方法，其特征在于：所述的硅片为N型硅片或P型硅片。

3.如权利要求1所述的硅太阳电池片的光致热扩散制结方法，其特征在于：所述的硅片的正反两面分别涂有不同类型的浆料，分别采用两个加热光源同时对硅片的正反两面进行照射，同步实现正反两面的扩散制结。

4.如权利要求1或3所述的硅太阳电池片的光致热扩散制结方法，其特征在于：所述的加热光源选自大功率短波氙灯、氘灯、汞灯或卤素灯中的一种。

5.如权利要求1所述的硅太阳电池片的光致热扩散制结方法，其特征在于：所述的硅片置于具有温度调节功能的背面温控装置上，在用加热光源照射之前进行预热。