[发明专利]一种单晶棒外圆的滚磨方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种单晶棒外圆的滚磨方法。

背景技术

目前，传统的滚磨方法是利用磨头单侧进行外圆滚磨，磨头进给量一次只能磨一边，只能是单边进给量。如图1所示，假如一次滚磨量最大不超过0.3mm，那一次进给量只能为小于0.3mm，这种工艺方法滚磨效率较低。

发明内容

本发明的目的是提供能提高效率的一种单晶棒外圆的滚磨方法。

本发明采取的技术方案是：一种单晶棒外圆的滚磨方法，其特征在于把单晶棒夹在滚磨机上，调好同心度，然后将磨头与晶棒角度成两侧接触晶棒，如设定磨头最初与单晶棒接触的前一侧的进刀深度小于N值，则另一侧在前一侧的研磨下的进刀深度为N值。

采用本发明方法，由于改单侧研磨为双侧研磨，磨头两侧同时与工件前后进行外圆研磨，一个磨头达到两个磨头的效能，因此能提高滚磨效率。

附图说明

图1是原采用的方法示意图。

图2是本发明的示意图。

图中序号表示：单晶棒1、磨头2。

具体实施方式

下面结合具体的实施例对本发明作进一步说明。

参照图2，首先，将单晶棒1夹在滚磨机上，调好同心度；其次，调整磨头角度，使磨头2与单晶棒1成两侧接触单晶棒1。第三，如果进给深度设定为0.2～0.3mm，则磨头2前一侧进刀量为0.2～0.3mm，另一测在前一侧的研磨下进给量为0.3mm。这样达到一次进给量为0.5～0.6mm，单边进入单晶棒1磨销量为每侧0.3mm，这样并没有通过加大进刀量而损伤单晶棒1，就能达到提高滚磨效率的目的，同时，还可以在磨头2上采用内圈粗砂与外圈细砂的办法来提高表面质量。