[发明专利]蓝宝石衬底LED芯片的切割方法

权利要求书

1.一种蓝宝石衬底LED芯片的切割方法，其特征在于，包括如下步骤：

将所述蓝宝石衬底进行背面减薄至50～100um，其中所述蓝宝石衬底上已制备有LED芯片及电极；

在所述LED芯片正面上光阻，并对所述光阻进行光刻，在所述光阻上形成划片槽图案；

以所述被图案化的光阻为掩膜，在第一刻蚀条件下对所述LED芯片进行感应耦合等离子体干法刻蚀，直至刻蚀到所述蓝宝石衬底；

以所述被图案化的光阻为掩膜，在第二刻蚀条件下对所述蓝宝石衬底进行感应耦合等离子体干法刻蚀，刻蚀深度为10～20um，形成划片槽；

去除剩余的光刻胶，并对所述LED芯片进行清洗；

对所述LED芯片依次进行裂片及扩张，形成多个LED芯片单元。

2.如权利要求1所述的蓝宝石衬底LED芯片的切割方法，其特征在于，所述光阻上形成的划片槽图案的宽度为2～20um。

3.如权利要求2所述的蓝宝石衬底LED芯片的切割方法，其特征在于，所述LED芯片为氮化镓LED芯片。

4.如权利要求3所述的蓝宝石衬底LED芯片的切割方法，其特征在于，所述第一刻蚀条件为：

刻蚀气体为：Cl₂和Ar，且Cl₂∶Ar为1∶1～4∶1；

腔室压力为：5mTorr～1.0Torr；

底板功率为：200W～300W；

线圈功率为：300W～1000W。

5.如权利要求4所述的蓝宝石衬底LED芯片的切割方法，其特征在于，所述Cl₂∶Ar为3∶1～4∶1。

6.如权利要求3所述的蓝宝石衬底LED芯片的切割方法，其特征在于，所述第二刻蚀条件为：

刻蚀气体为：BCl₃、He及Ar，且BCl₃∶(He+Ar)为1∶1～4∶1；

腔室压力为：5mTorr～1Torr；

底板功率为：200W～300W；

线圈功率为：300W～500W。

7.如权利要求3所述的蓝宝石衬底LED芯片的切割方法，其特征在于，所述氮化镓LED芯片包括从下至上依次生长的N型GaN层、InGaN多量子阱有源层、P型GaN层以及透明导电层。

8.如权利要求1所述的蓝宝石衬底LED芯片的切割方法，其特征在于，在形成多个LED芯片单元后，还包括对所述多个芯片单元分别进行封装及测试的步骤。