[发明专利]TSV通孔研磨清洗后的干燥方法及干燥设备无效
| 申请号： | 201010620317.7 | 申请日： | 2010-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN102569024A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 陈枫 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/00;B24B37/00;F26B3/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | tsv 研磨 清洗 干燥 方法 干燥设备 | ||
1.一种TSV通孔研磨清洗后的干燥方法，包括以下步骤：
提供一具有TSV通孔的晶圆，所述TSV通孔经历过填充但并未被填满，所述晶圆在经历所述TSV通孔填充后还经历去除所述晶圆上TSV通孔外部的沉积膜层的化学机械研磨，其后所述晶圆还经历清洗；
对所述晶圆进行异丙醇气相干燥，去除所述晶圆表面残留的液体；
对所述晶圆进行加热惰性气体干燥，将所述晶圆置于被加热且流动的惰性气体氛围中，通过所述惰性气体使所述晶圆TSV通孔内部的残留液体得到蒸发去除。
2.如权利要求1所述的TSV通孔研磨清洗后的干燥方法，其特征在于，所述惰性气体被加热至20至100℃。
3.如权利要求1所述的TSV通孔研磨清洗后的干燥方法，其特征在于，所述对晶圆进行加热惰性气体干燥的时间为30至200秒。
4.如权利要求1所述的TSV通孔研磨清洗后的干燥方法，其特征在于，所述惰性气体为氮气。
5.如权利要求1至4中任一权利要求所述的TSV通孔研磨清洗后的干燥方法，其特征在于，所述晶圆经历的清洗步骤包括：利用清洗刷对晶圆进行清洗。
6.如权利要求5所述的TSV通孔研磨清洗后的干燥方法，其特征在于，在利用清洗刷对晶圆进行清洗之前还将晶圆放入至兆声波清洗机中进行兆声波清洗。
7.如权利要求5所述的TSV通孔研磨清洗后的干燥方法，其特征在于，首先使用刷毛粗疏的清洗刷对晶圆进行第一次清洗，接着再使用刷毛细密的清洗刷对晶圆进行第二次清洗。
8.一种实现权利要求1所述的TSV通孔研磨清洗后的干燥方法中对晶圆进行加热惰性气体干燥的步骤的干燥设备，其特征在于，包括：腔体，所述腔体上具有进气口和出气口，所述腔体内部的底端设置有风扇和加热器，所述腔体内部的顶端设置有晶圆固定装置。
9.如权利要求8所述的TSV通孔研磨清洗后的干燥方法，其特征在于，所述晶圆固定装置固定晶圆的方式为夹持或吸附。
10.一种化学机械研磨设备，其特征在于，所述化学机械研磨设备中集成有权利要求8所述的干燥设备。
11.如权利要求10所述的化学机械研磨设备，其特征在于，所述晶圆固定装置固定晶圆的方式为夹持或吸附。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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