[发明专利]一种半导体研磨方法无效
| 申请号： | 201010620461.0 | 申请日： | 2010-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102528646A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 蒋莉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/20 | 分类号： | B24B37/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 研磨 方法 | ||
1.一种半导体研磨方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供固结磨料研磨垫，所述固结磨料研磨垫放置在研磨台上；
用第一溶液对所述固结磨料研磨垫进行活化处理，使固结磨料研磨垫表面具有亲水性；
将晶圆放置于固结磨料研磨垫上进行研磨。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一溶液为阳离子表面活性剂溶液，浓度为重量百分比0.5～10％。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一溶液阳离子表面活性剂为季铵盐。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一溶液为碱性溶液，pH值大于等于8。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述活化处理方法为：研磨台旋转速度小于20转/分钟，活化时间大于30秒，第一溶液流量大于300毫升/分钟。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述研磨台旋转速度为15转/分钟，润湿时间为50秒，第一溶液流量为400毫升/分钟。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在将晶圆放置于固结磨料研磨垫上进行研磨结束后，还包括步骤：用第二溶液对固结磨料研磨垫进行清洗处理。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第二溶液为阳离子表面活性剂溶液，浓度为重量百分比0.5～10％。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述阳离子表面活性剂为季铵盐。
10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第二溶液为碱性溶液，pH值大于等于8。
11.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述清洗处理方法为：研磨台旋转速度小于20转/分钟，清洗时间大于60秒，第二溶液流量大于300毫升/分钟。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述研磨台旋转速度为10转/分钟，清洗时间为80秒，第二溶液流量为400毫升/分钟。
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