[发明专利]驱动电路和显示设备

说明书

技术领域

本发明涉及适用于例如使用有机电致发光(EL)元件的显示设备的驱动电路。本发明还涉及具有该驱动电路的显示设备。

背景技术

近年来，在显示图像的显示设备领域中，已经开发了使用发光强度根据流动的电流的值而变化的电流驱动型光学元件(例如，有机EL元件)作为像素的发光元件这样的显示设备，并且正在进行其商品化。与液晶设备等相比，有机EL元件是自发光元件。因此，在使用有机EL元件的显示设备(有机EL显示设备)中，通过控制在有机EL元件中流动的电流的值来实现色彩的浓淡度(gradation)。

作为有机EL显示设备中的驱动系统，和液晶显示器一样，存在简单(无源)矩阵系统和有源矩阵系统。前者结构简单，但是例如具有难以实现大的高分辨率的显示设备这样的问题。因此，目前，有源矩阵系统的开发比较活跃。在这种系统中，通过驱动晶体管来控制在针对每个像素布置的发光元件中流动的电流。

在上述驱动晶体管中，存在这样的情况，即阈值电压V_th或迁移率μ随时间变化，或者由于制造工艺的不同而在像素间不同。当阈值电压V_th或迁移率μ在像素间不同时，在驱动晶体管中流动的电流的值在像素间不同，因此，即使相同的电压被施加于驱动晶体管的栅极，有机EL元件的发光强度也不同，从而损害画面的均匀性。因此，已经开发了一种结合了用于处理阈值电压V_th或迁移率μ的变化的校正功能的显示设备(例如，参见日本未审查专利申请公报No.2008-083272)。

用于处理阈值电压V_th或迁移率μ的变化的校正由针对每个像素提供的像素电路执行。例如，如图7中所示，该像素电路包括：控制在有机EL元件111中流动的电流的驱动晶体管Tr₁，将信号线DTL的电压写入驱动晶体管Tr₁的写入晶体管Tr₂，以及保持电容C_s，因此，该像素电路具有2Tr1C电路结构。驱动晶体管Tr₁和写入晶体管Tr₂例如各自由n沟道MOS薄膜晶体管(TFT)形成。

图6图示出施加于像素电路的电压的波形的示例以及驱动晶体管的栅极电压和源极电压中的每一个的变化的示例。在图6的部分(A)中，图示出信号电压V_sig和偏置电压V_ofs被施加于信号线DTL的状态。在图6的部分(B)中，图示出用于接通驱动晶体管的电压V_dd和用于关断驱动晶体管的电压V_ss被施加于写入线WSL的状态。在图6的部分(C)中，图示出高电压V_ccH和低电压V_ccL被施加于电源线PSL的状态。此外，在图6的部分(D)和(E)中，图示出驱动晶体管Tr₁的栅极电压V_g和源极电压V_s响应于这些电压对电源线PSL、信号线DTL和写入线WSL的施加而随时间变化的状态。

从图6中，发现WS脉冲P1在1H内被施加于写入线WSL两次，通过第一WS脉冲P1执行阈值校正，而通过第二WS脉冲P1执行迁移率校正和信号写入。换而言之，在图6中，WS脉冲P1不仅用于信号写入，还用于驱动晶体管Tr₁的阈值校正和迁移率校正。

以下，将描述驱动晶体管Tr₁的阈值校正和迁移率校正。通过施加第二WS脉冲P1，信号电压V_sig被写入驱动晶体管Tr₁的栅极。结果，驱动晶体管Tr₁被接通并且电流在驱动晶体管Tr₁中流动。此时，当对有机EL元件111施加反向偏置时，从驱动晶体管Tr₁流出的电荷充入保持电容C_s和有机EL元件111的元件电容(未示出)，引起源极电压V_s上升。当驱动晶体管Tr₁的迁移率高时，在驱动晶体管Tr₁中流动的电流大，因此，源极电压V_s迅速上升。相反，当驱动晶体管Tr₁的迁移率低时，在驱动晶体管Tr₁中流动的电流小，因此，源极电压V_s上升得比当驱动晶体管Tr₁的迁移率高时慢。因此，可以通过调节用于校正迁移率的时间段来校正迁移率。

发明内容