[发明专利]一种单晶硅棒外圆切割加工方法和装置

权利要求书

1.一种单晶硅棒外圆切割加工方法，其特征是：它包括以下步骤：以钼丝或钼合金金属细丝作为工作电极，使走丝速度在1-30m/s之间，在切割加工过程中，脉冲发生器的电压脉冲宽度在1-100μs之间且可调；电压在0-200伏特之间，加工工作液的电导率为0.5-50ms/cm。

2.根据权利要求1所述一种单晶硅棒外圆切割加工方法，其特征是：所述的单晶硅棒为重掺杂晶体，电阻率在0.0005-0.10Ω.cm，直径4英寸-8英寸锭长100-400cm。

3.根据权利要求1所述一种单晶硅棒外圆切割加工方法，其特征是所述的工作液为：植物油含量5～10％、甘油1～3％、硅油0.1～1％、松香4～8％、烷基硫酸钠1～2％、钼酸钠1～2％等与1.5～2％乳化剂(OP)、余量纯水组成，NaOH调节PH值在5～7范围。

4.一种用于权利要求1所述方法的装置，其特征在于：它包括：控制系统，脉冲发生器，脉冲输出一端连接待加工的单晶硅棒作为工作电极，该工作电极固定在X、Y方向运动的平台上；脉冲输出的另一端连接工具电极，工作电极与单晶硅棒之间的间隙导入工作液；加工工作液、供液泵、工作液贮箱组成冷却、灭弧、排渣润滑系统，所述的工具电极通过储丝简、导轮。