[发明专利]放大器装置有效
申请号: | 201010621038.2 | 申请日: | 2010-12-23 |
公开(公告)号: | CN102570988A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 陈季廷;王磊中 | 申请(专利权)人: | 联咏科技股份有限公司 |
主分类号: | H03F1/30 | 分类号: | H03F1/30 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 任永武 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 放大器 装置 | ||
1.一种放大器装置,其特征在于,包括:
一增益级,其具有至少一反馈节点;
一输出级,耦接至该增益级,以及具有一输出节点用以输出一输出电压;
至少一相位补偿电路,当中每一者分别耦接至该增益级的该至少一反馈节点当中的一对应者与该输出节点之间;以及
至少一耦合抑制元件,其当中每一者分别耦接至该增益级的该至少一反馈节点当中的一对应者与一个别耦合节点之间,用以于该对应反馈节点受杂讯耦合而电压电平改变时,响应于该对应反馈节点的电压电平变化而自动导通,以抑制该对应反馈节点的电压电平变化。
2.根据权利要求1所述的放大器装置,其特征在于,该杂讯从该输出节点经过该相位补偿电路而耦合至该对应反馈节点。
3.根据权利要求1所述的放大器装置,其特征在于,还包括一输入级,其具有多个输入节点,这些输入节点当中一者耦接至该输出节点。
4.根据权利要求1所述的放大器装置,其特征在于,该杂讯是于该输出电压的转换电平期间所发生。
5.根据权利要求1所述的放大器装置,其特征在于,该对应反馈节点与该个别耦合节点之间的电压差值若大于或等于一既定电压,该耦合抑制元件导通,否则该耦合抑制元件切断。
6.根据权利要求1所述的放大器装置,其特征在于,当该对应反馈节点的电平升高至使该耦合抑制元件导通后,该耦合抑制元件形成一放电路径而流通一补偿电流对该对应反馈节点进行放电。
7.根据权利要求1所述的放大器装置,其特征在于,当该对应反馈节点的电平下降至使该耦合抑制元件导通后,该耦合抑制元件形成一充电路径而流通一补偿电流对该对应反馈节点进行充电。
8.根据权利要求1所述的放大器装置,其特征在于,该个别耦合节点的直流电压电平等于该对应反馈节点的直流电压电平。
9.根据权利要求1所述的放大器装置,其特征在于,该至少一耦合抑制元件当中每一者的该个别耦合节点是该放大器装置的一内部固有节点与一外部直流电压节点当中的一者。
10.根据权利要求1所述的放大器装置,其特征在于,该至少一耦合抑制元件当中每一者包括一至多个相串联的二极管元件、一至多个相串联的晶体管,以及一运算放大器当中至少的一者。
11.根据权利要求1所述的放大器装置,其特征在于,该输出级还包括一第一输出开关,耦接该输出节点,且该增益级还包括:
一第一开关,包括:
一第一端,耦接该第一输出开关的一控制端;
一第二端,耦接该对应反馈节点;
一第二开关,包括:
一第一端,耦接至该第一开关的该第二端;以及
一第二端,耦接至一第一操作电压;以及
一第三开关,包括:
一第一端,耦接至该第二开关的一控制端;以及
一控制端,耦接该第一开关的一控制端。
12.根据权利要求11所述的放大器装置,其特征在于,该个别耦合节点耦接该第三开关的该第一端与一第二端当中的一者。
13.根据权利要求11所述的放大器装置,其特征在于,该第一输出开关为一P型金属氧化物半导体晶体管,该二极管元件的负极耦接该对应反馈节点,且该二极管元件的正极耦接该个别耦合节点。
14.根据权利要求11所述的放大器装置,其特征在于,该第一输出开关为一N型金属氧化物半导体晶体管,该二极管元件的正极耦接该对应反馈节点,且该二极管元件的负极耦接该个别耦合节点。
15.根据权利要求11所述的放大器装置,其特征在于,该耦合抑制元件包括一晶体管元件,该晶体管元件具有一第一端耦接该对应反馈节点,一控制端耦接该个别耦合节点,以及一第二端耦接至一操作电压。
16.根据权利要求1所述的放大器装置,其特征在于,该耦合抑制元件包括一运算放大器,该运算放大器具有一第一输入端耦接该对应反馈节点,一第二输入端耦接该个别耦合节点,以及一输出端耦接至该第一输入端。
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