[发明专利]一种四氯化锗中杂质砷的去除方法无效
申请号: | 201010621130.9 | 申请日: | 2010-12-24 |
公开(公告)号: | CN102531043A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 袁琴;刘福财;王铁艳;武鑫萍;毛威;莫杰 | 申请(专利权)人: | 北京有色金属研究总院;北京国晶辉红外光学科技有限公司 |
主分类号: | C01G17/04 | 分类号: | C01G17/04 |
代理公司: | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人: | 郭佩兰 |
地址: | 100088*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氯化 杂质 去除 方法 | ||
技术领域
本发明属化工技术领域。具体涉及到以高砷精矿为原料制备四氯化锗,在四氯化锗制备和提纯过程中,同时伴有生成砷化合物,以致四氯化锗中的杂质砷含量较高。本发明主要在蒸馏和提纯过程中,加入一种氧化剂,最终降低四氯化锗中杂质砷的含量。
背景技术
锗是重要的化学元素之一,在现代半导体、通讯和电子技术上有着广泛的用途,在光学仪器、合金、材料、玻璃、陶瓷、航空和医学等诸多方面也有着特殊的用途,是现代科学技术中不可缺少的稀有元素。
目前,工业上提锗的普遍方法是湿法冶炼,即含锗原料与一定比例的盐酸反应,生成粗四氯化锗;粗四氯化锗再根据不同需求制成光纤用四氯化锗,高纯二氧化锗,金属锗锭等。随着锗应用的拓展和尖端技术的发展,现代工业对锗材料的纯度要求越来越高。在锗的提纯过程中,虽然有最后的区域精炼把关除杂,但四氯化锗的制备和提纯仍就是非常关键的。在采用高砷精矿制备四氯化锗过程中,砷容易与盐酸形成三氯化砷(AsCl3)及其它砷的化合物。AsCl3的沸点与GeCl4接近,且易形成共沸物,在蒸馏过程中随GeCl4大量进入到馏出液中。因此要获得高纯度的GeCl4去除砷是关键。
传统的工艺将氯气通入四氯化锗中,进行萃取提纯,使得低沸点AsCl3转化成高沸点的砷酸,在蒸馏结束后,留在高沸物中,保证蒸馏出来的四氯化锗含砷量较低。氯气作氧化剂的特点是利用率高,在反应中能够充分与反应物接触。但其不足之处是,氯气是剧毒物质,包装、运输、储存、使用过程中存在一定的危险性;操作条件苛刻;设备要求高;尾气的环保处理要求严格,否则将对环境造成影响。
发明内容
本发明的目的在于提出一种四氯化锗中杂质砷的去除方法,该方法快速、高 效。
为达到上述的发明目的,本发明采用以下技术方案:
1、制备工序:以高砷锗精矿为原料制备四氯化锗,通过氧化还原反应将低沸点砷化合物转换成高沸点的砷化合物,控制工艺条件,使得蒸馏出来的四氯化锗中砷含量小于1ppm以下。
2、复蒸提纯工序:以化学提纯和物理提纯相结合,进一步复蒸提纯使得制备的四氯化锗砷含量小于ppb。
发明的基本原理:
1、制备工序:在加热下,一定量的二氧化锰与盐酸、砷形成高沸点物质砷化合物,控制蒸馏的温度,使得蒸馏出来的四氯化锗中砷含量达到ppm级。
2、复蒸提纯工序:进一步向四氯化锗加入盐酸和二氧化锰,控制蒸馏温度,使得复蒸出来的四氯化锗中砷含量小于1ppb。
3、其总反应方程式为:
As2O3+14HCl+2MnO2=2AsCl5+2MnCl2+7H2O
As2O3+6HCl+3MnO2=3MnCl2+2H2AsO4+H2O
本发明提出四氯化锗中杂质砷的去除方法,包括主要原料锗精矿中锗和砷含量的测量、氯化制备工艺物料的配比:加入的盐酸体积为固体重量的4倍~8倍(盐酸体积∶固体原料重量)、硫酸量为盐酸体积的3%~10%、二氧化锰量为原料中砷含量1倍~5倍、三氯化铁的量控制在盐酸重量的3%~10%之间。氯化设备选择500升搪瓷釜(配备玻璃冷凝管)、复蒸工序物料的配比加入盐酸量为四氯化锗体积的1倍~3倍之间、二氧化锰的量为四氯化锗的1%~5%、复蒸设备选择50升搪瓷釜(配备石英塔柱)。
附图说明
图1:本发明工艺流程框图
图2:本发明氯化蒸馏装置示意图
图3:本发明复蒸提纯装置示意图
本发明的除杂工艺采用化学反应和物理提纯相结合,以市售含砷量≤6%的锗精矿为原料,工艺过程如下:
1)、检测精矿中的锗含量和砷含量。
2)、将含砷精矿加入氯化反应釜中,按照一定的配比,加入一定浓度的盐酸、硫酸、二氧化锰、三氯化铁。
3)、在加热的情况下,盐酸与锗精矿中的锗反应,生成四氯化锗。
4)在加热的情况下,盐酸与锗精矿中的砷反应,生成三氯化砷,在氧化剂二氧化锰、三氯化铁的作用下,三氯化砷进一步反应生成砷酸。
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