[发明专利]用于改善阻尼力的带有主通道和次通道的磁流变(MR)活塞组件

权利要求书

1.具有纵向轴线的磁流变(MR)阻尼器，包括：

在其中容纳MR流体的同轴缸体；以及

主通道MR活塞组件，其同轴地布置在所述缸体内，并适于可滑动地接合在所述缸体中以用于在缸体中进行轴向往复运动，该主通道MR活塞组件包括：

活塞体，其限定贯通其中的同轴的孔，活塞体包括：

主体外表面；

第一端部和轴向远离第一端部的第二端部，并且第一端部和第二端部大体垂直于所述轴线；

连接于第一端部的第一端板以及连接于第二端部的第二端板；

圆周线圈凹槽，其围绕轴线限定于主体外表面中；

主通道，其限定于主体外表面中，从第二端部处的所述孔延伸至圆周线圈凹槽；

导电体，其布置在所述孔和主通道中，并且还配置成形成布置于圆周线圈凹槽中的电线圈；以及

非磁性材料，其用于填充主通道和第二端部处的所述孔，从而有效地密封其中的导电体和电线圈；

环形结构，其大体环绕所述轴线包围活塞体并连接于活塞体，该环形结构限定大体可磁激励MR流体通道，该大体可磁激励MR流体通道相对于所述轴线具有平行、环形间隔的关系；以及

同轴的杆，该杆限定了贯通其中的同轴的开口并连接于第一端板，杆中的所述开口大体与活塞体中第一端部处的所述孔对准，并且包括与导电体电连接的导电体装置；其中：

在活塞体的主体外表面中限定次通道，所述次通道从圆周线圈凹槽朝第一端部延伸，次通道填充有所述非磁性材料，并提供改进的低速MR阻尼力性能。

2.根据权利要求1所述的MR阻尼器，其中，所述次通道包括一长度段，并且该长度段从圆周线圈凹槽延伸至第一端部。

3.根据权利要求2所述的MR阻尼器，其中，所述主通道进一步包括第一主通道部分，其从第二端部延伸至圆周线圈凹槽，所述第一主通道部分与所述次通道轴向排列。

4.根据权利要求1所述的MR阻尼器，其中，所述主通道进一步地包括第一主通道部分，其从第二端部延伸至圆周线圈凹槽延伸，所述主通道部分与所述次通道轴向排列。

5.根据权利要求1所述的MR阻尼器，其中，所述次通道包括从圆周线圈凹槽朝第一端部的第一长度段和从圆周线圈凹槽朝第一端部的第二长度段，并且第二长度段长于第一长度段，第一长度段包括具有第一y截值点和第一拐点的第一阻尼力—主通道MR活塞组件速度曲线，所述第一拐点位于第一主通道MR活塞速度处，第二长度段包括具有第二y截值点和第二拐点的第二阻尼力—主通道MR活塞组件速度曲线，所述第二拐点位于第二主通道MR活塞组件速度处，并且第二y截值点小于第一y截值点，第二主通道MR活塞组件速度大于第一主通道MR活塞组件速度，使得在描绘第一、第二阻尼力—主通道MR活塞组件速度曲线的阻尼力—主通道MR活塞组件曲线图上，第二拐点位于第一拐点的右侧。

6.根据权利要求1所述的MR阻尼器，其中，主通道MR活塞组件包括第一基本不可磁激励MR流体通道，所述第一基本不可磁激励MR流体通道由活塞体和第一、第二端板限定并贯通其中，所述第一基本不可磁激励MR流体通道布置在所述孔的外围，其沿轴向并与所述轴线成径向间隔开的关系。

7.根据权利要求6所述的MR阻尼器，其中，不包括所述第一基本不可磁激励MR流体通道的主通道MR活塞组件限定初始的阻尼力—主通道MR活塞组件速度曲线，该曲线具有初始的y截值点和初始拐点，所述初始拐点位于初始主通道MR活塞组件速度处，并且，包括所述第一基本不可磁激励MR流体通道的主通道MR活塞组件限定第一y截值点和第一拐点，所述第一拐点在第一主通道MR活塞组件速度处，并且，第一y截值点小于初始y截值点，第一主通道MR活塞组件速度大于初始主通道MR活塞组件速度，使得在描绘初始、第一阻尼力—主通道MR活塞组件速度曲线的阻尼力—主通道MR活塞组件曲线图上，第一拐点位于初始拐点的右侧。