[发明专利]碳化硅单结晶的制造装置和制造方法

权利要求书

1.一种SiC单结晶制造装置(1)，用于通过从由SiC单结晶基片制成的籽晶(5)下方供应SiC原料气体(3)，在籽晶(5)的表面上生长SiC单结晶，该装置包括：

上面布置有籽晶(5)的基座(9a)，和

相对于基座(9a)布置在原料气体(3)的流动通道上游侧的加热坩埚(8)，其中：

所述加热坩埚(8)包括中空的筒形件和缩径部分(8d)；

所述中空筒形件具有上游端和下游端；

通过从中空筒形件的上游端引入原料气体(3)并且从中空筒形件的下游端排出原料气体(3)，加热坩埚(8)将原料气体(3)供应给籽晶(5)；

缩径部分(8d)布置在中空筒形件的下游端，并且具有小于中空筒形件的开口尺寸的开口部分；和

缩径部分(8d)的整个开口部分被包含在这样的区域内，即基座(9a)的外边缘沿着加热坩埚(8)的中心轴线方向投影所限定的区域。

2.如权利要求1所述的SiC单结晶制造装置，其中：

所述缩径部分(8d)具有面向基座(9a)的表面；

所述缩径部分(8d)在所述表面上具有锥形部分(8e)；和

所述锥形部分(8e)的开口尺寸朝着基座(9a)逐渐增大。

3.如权利要求1或2所述的SiC单结晶制造装置，其中

所述缩径部分(8d)的厚度朝着加热坩埚(8)的中心轴线减小。

4.如权利要求3所述的SiC单结晶制造装置，其中

所述缩径部分(8d)厚度的增大速率随着远离加热坩埚(8)的中心轴线而减小。

5.一种制造SiC单结晶的方法，包括：

将由SiC单结晶基片制成的籽晶(5)布置在基座(9a)上；

相对于基座(9a)，将加热坩埚(8)布置在SiC原料气体(3)的流动通道的上游侧，加热坩埚包括中空筒形件和缩径部分(8d)，所述中空筒形件具有上游端和下游端，通过从中空筒形件的上游端引入原料气体(3)并且从中空筒形件的下游端排出原料气体(3)，加热坩埚(8)将原料气体(3)供应给籽晶(5)，缩径部分(8d)布置在中空筒形件的下游端，并具有小于中空筒形件的开口尺寸的开口部分；和

使SiC单结晶在籽晶(5)的表面上生长，使得通过缩径部分(8d)的开口部分供应原料气体(3)，原料气体(3)的流量在SiC单结晶的生长表面上成面内分布。