[发明专利]振荡器复合电路、半导体装置以及电流再利用方法

权利要求书

1.一种振荡器复合电路，其特征在于，

在第1电源和第2电源之间级联配置有振荡器和包含差动对的电路，

所述振荡器具有包括电感器和电容的并联电路的共振电路，

所述差动对中输入有所述振荡器的振荡输出信号，并且所述差动对分别构成始于所述第1电源侧的第1电流路径和第2电流路径，所述第1电流路径和第2电流路径的与所述第1电源相反侧的各一端共同连接，并且连接至所述振荡器的所述电感器的中点。

2.根据权利要求1所述的振荡器复合电路，其特征在于，

包括分频器，该分频器具有所述包含差动对的电路。

3.根据权利要求2所述的振荡器复合电路，其特征在于，

所述差动对包括第1晶体管对，所述第1晶体管对的控制端子中差动输入所述共振电路的两端的输出，

所述第1晶体管对的第2端子构成所述第1电流路径和第2电流路径的与所述第1电源相反侧的各一端，并且所述第2端子共同连接并连接至所述振荡器的电感器的中点，

所述第1晶体管对的第1端子构成所述第1电流路径和第2电流路径的所述第1电源侧的各一端。

4.根据权利要求3所述的振荡器复合电路，其特征在于，

所述振荡器包括第1晶体管和第2晶体管，所述第1晶体管和第2晶体管的第1端子分别连接至所述共振电路的两端，所述第1晶体管和第2晶体管的第2端子共同连接至所述第2电源，所述第1晶体管和第2晶体管的控制端子分别交叉连接至所述第2晶体管和第1晶体管的第1端子。

5.根据权利要求4所述的振荡器复合电路，其特征在于，

所述第1晶体管和第2晶体管的控制端子分别经由电容交叉连接至所述第2晶体管和第1晶体管的第1端子，并且接收偏压。

6.根据权利要求4所述的振荡器复合电路，其特征在于，

在所述振荡器中，所述共振电路的所述电容包括在所述电感器的两端之间串联连接的第1可变电容元件和第2可变电容元件，向所述第1可变电容元件和第2可变电容元件的连接点施加控制电压。

7.根据权利要求3所述的振荡器复合电路，其特征在于，

所述第1晶体管对的控制端子分别与所述共振电路的两端的输出交流连接，并且分别经由第1电阻、第2电阻连接至第1偏压供给端子。

8.根据权利要求4所述的振荡器复合电路，其特征在于，

所述第1晶体管对的控制端子分别经由第1电阻、第2电阻连接至第1偏压供给端子，

在所述振荡器中，所述第1晶体管和第2晶体管的控制端子分别经由第5电容、第6电容交叉连接至所述第2晶体管和第1晶体管的第1端子，所述第1晶体管和第2晶体管的控制端子分别经由第3电阻、第4电阻连接至第2偏压供给端子，

所述振荡器复合电路还包括偏压及恒定电流电路，

所述偏压及恒定电流电路包括：

第3晶体管，连接在所述振荡器的所述第1晶体管和第2晶体管的共同连接的第2端子与所述第2电源之间；

基准电流源，其一端连接至所述第1电源；以及

第4晶体管至第6晶体管，在所述基准电流源的另一端和所述第2电源之间级联连接，

所述第4晶体管的控制端子连接至所述第3晶体管的控制端子，并且连接至所述基准电流源的另一端和所述第6晶体管的连接点，

所述第6晶体管的控制端子和第5晶体管的控制端子分别为所述第1偏压供给端子和所述第2偏压供给端子。

9.根据权利要求2所述的振荡器复合电路，其特征在于，

所述分频器包括至少一个触发器，所述触发器包含第2端子彼此在所述第1晶体管对的各所述第1端子处连接的晶体管对。