[发明专利]发光器件、发光器件封装以及照明系统

说明书

技术领域

实施例涉及一种发光器件、发光器件封装以及照明系统。

背景技术

发光器件(LED)包括具有将电能转换为光能的特性的p-n结二极管。该p-n结二极管能够通过将元素周期表中的III族和V族元素相组合而形成。通过调节化合物半导体的组成比，LED能够呈现各种颜色。

当将正向电压施加给LED时，n层的电子与p层的空穴结合，从而可以产生与导带和价带之间的能隙相对应的能量。此能量主要被实现为热或光，并且LED以光的形式发出能量。

氮化物半导体表现出优秀的热稳定性和宽的带隙能量，因而氮化物半导体已经在光学器件和高功率电子器件的领域受到高度关注。特别地，已经开发出并且广泛使用了采用氮化物半导体的蓝光、绿光、以及UV发光器件。

根据电极的位置，LED分为横向型LED和垂直型LED。

在横向型LED中，在导热基板上形成有发光结构，并且两个电极层在该发光结构上方对准。

同时，在横向型LED中，厚的导热基板位于上述发光结构的下端，并且通过绝缘基板的横向侧发射大量的光，位于绝缘基板下端的反射层的功能是非常重要的。

然而，根据现有技术，位于绝缘基板下端的反射层包括呈现弱可靠性的金属层。即，该金属层的反射率可能随着时间的流逝而降低，使得光的量可能减少。

发明内容

实施例提供一种发光器件、发光器件封装、以及照明系统，其能够在不降低可靠性的情况下呈现优秀的反射率。

根据实施例的发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、有源层、以及第二导电半导体层；基板，该基板位于所述发光结构上方；第一反射层，该第一反射层具有多个介电层，所述多个介电层包括第一介电层和第二介电层，该第一介电层位于所述基板上方并具有第一折射率，该第二介电层位于第一介电层上方并具有与第一折射率不同的第二折射率；以及第二反射层，该第二反射层位于第一反射层上方，该第二反射层的折射率比第一反射层的每个介电层的折射率低。

根据实施例的发光器件封装包括：封装主体；电极层，该电极层位于封装主体上；以及根据本发明第一方面所述的发光器件，该发光器件电连接到电极层。

根据实施例的照明系统包括：基板；以及发光模块，该发光模块包括位于所述基板上的上述发光器件封装。

附图说明

图1是示出根据第一实施例的发光器件的截面图；

图2是示出根据比较例的发光器件的反射率变化的曲线图；

图3是示出根据本实施例的发光器件的反射率变化的曲线图；

图4至图6是示出用于制造根据第一实施例的发光器件的过程的截面图；

图7是示出根据第二实施例的发光器件的截面图。

图8是示出根据实施例的发光器件封装的截面图；

图9是示出根据实施例的照明单元的透视图；并且

图10是示出根据实施例的背光单元的分解透视图。

具体实施方式

在下文中，将参考附图来详细描述根据实施例的发光器件、发光器件封装以及照明系统。

在实施例的描述中，将会理解的是，当一个层(或膜)被称为在另一层或基板“上”时，它可以直接在另一层或基板上，或者也可以存在有中间层。此外，将会理解的是，当一个层被称为在另一层“下”时，它可以直接在另一层下，并且也可以存在有一个或多个中间层。另外，还将会理解的是，当一个层被称为在两个层“之间”时，它可以是这两个层之间的唯一一个层，或者也可以存在有一个或多个中间层。

(实施例)

图1是包括根据第一实施例的发光器件的发光器件封装的截面图。

图7是示出包括根据第二实施例的发光器件的发光器件封装的截面图。

根据第一实施例的发光器件250(参见图5)可以包括：发光结构200，该发光结构200形成在基板100上；第一反射层310，该第一反射层310位于基板100下方并包括多个介电层；以及第二反射层320，该第二反射层320形成在第一反射层310下方并且其折射率低于第一反射层310的折射率。

根据第一实施例的发光器件封装500可以包括：形成在基板100上的发光结构200、位于基板100下方的包括多个介电层的第一反射层310、形成在第一反射层310下方并且其折射率比第一反射层310的折射率低的第二反射层320、第一反射层310上的支撑层410、以及位于支撑层410下方的副底座(sub-mount)400。

根据第一实施例，第二反射层320可以包括空气层。