[发明专利]MOS器件寿命预计方法及系统无效
| 申请号： | 201010621794.5 | 申请日： | 2010-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN102567560A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 王群勇;阳辉;钟征宇;陈冬梅;白桦;刘燕芳;吴文章;陈宇 | 申请（专利权）人： | 北京圣涛平试验工程技术研究院有限责任公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100089 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mos 器件 寿命 预计 方法 系统 | ||
【权利要求书】：
1.一种MOS器件寿命预计方法，其特征在于，所述寿命预计方法包括：
S1，分析器件的物理失效机理与器件宏观参数退化的相关性，构建基于所述物理失效机理的器件宏观参数退化模型；
S2，对器件进行可靠性模拟仿真，分析器件宏观参数退化对物理失效机理的敏感性；
S3，选择应力施加方式，对器件进行基于参数退化寿命试验并获取可靠性试验数据；
S4，分析上述可靠性试验数据，建立基于参数退化的寿命预计计算模型；
S5，根据上述寿命预计计算模型获取器件的寿命预计结果。
2.如权利要求1所述的MOS器件寿命预计方法，其特征在于，所述步骤S1中的物理失效机理包括热载流子注入、时间相关介质层击穿、负偏压不稳定性和/或电迁移。
3.如权利要求1所述的MOS器件寿命预计方法，其特征在于，所述步骤S3中的可靠性试验数据包括器件的敏感参数随时间的变化数据以及器件的硬失效数据。
4.如权利要求1所述的MOS器件寿命预计方法，其特征在于，所述步骤S3中，采用阿列尼乌斯模型、E模型、艾琳模型或者其组合确定应力施加方式。
5.如权利要求1所述的MOS器件寿命预计方法，其特征在于，所述步骤S4包括：分析器件各种单一失效模式的分布以及各种单一失效模式之间的相关性。
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