[发明专利]蚀刻方法及蚀刻处理装置有效
| 申请号： | 201010621800.7 | 申请日： | 2010-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN102129983A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 武川贵仁 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 处理 装置 | ||
1.一种蚀刻方法，其特征在于，
该蚀刻方法包括：
在被蚀刻层上形成反射防止膜的工序；
在上述反射防止膜上形成图案化了的抗蚀剂膜的工序；
以上述抗蚀剂膜为掩模、将含有CF4气体、COS气体和O2气体的蚀刻气体导入处理室内、利用被导入的蚀刻气体对上述反射防止膜进行蚀刻处理、从而在上述反射防止膜上形成期望的图案的工序。
2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，
上述抗蚀剂膜为ArF抗蚀剂膜。
3.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，
上述反射防止膜含有硅。
4.根据权利要求1～3中任意一项所述的蚀刻方法，其特征在于，
上述蚀刻气体中所包含的COS气体的流量的上限值为50sccm。
5.根据权利要求1～3中任意一项所述的蚀刻方法，其特征在于，
上述蚀刻气体中所包含的CF4气体的流量在50～300sccm的范围内。
6.根据权利要求1～3中任意一项所述的蚀刻方法，其特征在于，
上述蚀刻气体中所包含的O2气体的流量的上限值为100sccm。
7.根据权利要求1～3中任意一项所述的蚀刻方法，其特征在于，
进行控制，使得上述蚀刻气体中所包含的COS气体的流量和O2气体的流量成正比例。
8.根据权利要求1～3中任意一项所述的蚀刻方法，其特征在于，
上述处理室内的压力在30～100mT的范围内。
9.根据权利要求8所述的蚀刻方法，其特征在于，
上述处理室内的压力的上限值为75mT。
10.一种蚀刻装置，其特征在于，
该蚀刻装置包括：
气体供给源，其用于向处理室内供给含有CF4气体、COS气体和O2气体的蚀刻气体；
高频电源，其用于向上述处理室内供给期望的高频电力，
利用高频电力由上述蚀刻气体产生等离子体，利用上述等离子体对形成有反射防止膜和图案化了的抗蚀剂膜的被处理体进行蚀刻处理，从而在上述反射防止膜上形成期望的图案。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
