[发明专利]成膜装置

权利要求书

1.一种成膜装置，该成膜装置在真空容器内使载置有多个基板的旋转台旋转，上述多个基板依次与供给到多个处理区域中的多种反应气体接触，在上述多个基板的表面形成薄膜，其特征在于，

包括：

反应气体供给部，其与旋转过程中的上述多个基板附近相对地设置在上述多个处理区域中，用于朝向上述多个基板的方向分别供给上述多种反应气体；

分离气体供给部，其向设置在上述多个处理区域之间的分离区域内供给用于防止供给到上述多个处理区域中的上述多种反应气体发生反应的分离气体；

排气机构，在上述多个处理区域的各自外侧，该排气机构在与上述旋转台的外周方向相对应的范围中设有排气口，将供给到上述多个处理区域的多种反应气体和供给到上述分离区域的分离气体经由上述处理区域引导到上述排气口，该排气机构与上述排气口连通而进行排气；

上述多个处理区域包括：

第1处理区域，在该区域中，进行使第1反应气体吸附于上述多个基板的表面的处理；

第2处理区域，该第2处理区域的面积大于该第1处理区域的面积，在该区域中，进行使第2反应气体与吸附在上述多个基板的表面的上述第1反应气体发生反应而在上述多个基板表面成膜的处理。

2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

在上述第2处理区域中的、沿着上述旋转台的旋转方向的前半部分设有用于供给上述第2反应气体的反应气体供给部。

3.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

在上述第2处理区域中的、沿着上述旋转台的旋转方向的后半部分设有利用等离子体对在上述第2处理区域内成膜后的上述多个基板进行表面改性的等离子体产生部。

4.根据权利要求3所述的成膜装置，其特征在于，

上述等离子体产生部被配置在载置于上述旋转台的上述多个基板的附近，在载置于上述旋转台的上述多个基板通过上述第2处理区域时，将上述多个基板的表面直接暴露于自上述等离子体产生部产生的等离子体。

5.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

该成膜装置设有用于从上述旋转台的旋转中心向上述真空容器内供给分离气体的旋转中心供给用的分离气体供给部；

从上述旋转中心供给的分离气体经由上述多个处理区域而从上述排气口被排出。

6.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

从上述分离区域流入到上述多个处理区域的分离气体分别经由离开上述处理区域的顶部地设置的上述多个反应气体供给部与上述顶部之间而被排出到上述排气口。

7.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

上述旋转台和上述真空容器的侧壁之间的间隙在上述分离区域的旋转台的外周方向上、在上述分离区域的外侧被设定得比上述多个处理区域的外侧窄，从上述分离区域供给来的分离气体的大部分经由该分离区域朝向上述多个处理区域流动。

8.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

将用于向上述真空容器内搬入上述多个基板并自上述真空容器搬出上述多个基板的输送口面向上述面积较大的第2处理区域地设置。

9.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

上述多个反应气体供给部是朝向上述旋转台的旋转中心地配置且呈直线状排列有多个气体喷出孔的喷射器、或者上述多个反应气体供给部是具有以上述旋转台的旋转中心为扇轴的扇形的喷头，该喷头被配置在上述分离区域相互之间且包括在载置于上述旋转台的上述多个基板通过时覆盖上述多个基板的多个气体喷出孔。

10.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

在上述旋转台的外周方向上，从上述旋转台的端部和上述真空容器的侧壁之间的间隙排出的气体经由设置于将上述旋转台的端部包围的隔板中的开口或狭缝而由上述排气机构排出，并且，通过将上述开口或狭缝开放得足够小，供给到上述分离区域的分离气体实质上向上述多个处理区域的方向流动之后，向上述排气口的方向流动。

11.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

上述第1反应气体是含有金属的反应前体，上述第2反应气体是与上述第1反应气体发生反应而进行金属氧化物的成膜的氧化气体、或者进行金属氮化物的成膜的含氮气体。

12.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

在面积比供给有上述第1反应气体的上述第1处理区域的面积大的、供给有上述第2反应气体的上述第2处理区域中，上述多个基板在上述第2反应气体中一边进行表面反应一边通过上述第2处理区域。