[发明专利]层间绝缘膜、布线结构以及它们的制造方法

权利要求书

1.一种电子装置，其具有多层布线结构，其特征在于，作为所述多层布线结构的层间绝缘膜，至少具备形成在基底层上，表面被氮化的碳氟膜。

2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述基底层包含SiCN层、Si₃N₄层、SiCO层以及SiO₂层中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还具备形成在所述碳氟膜上的Si₃N₄层、SiCN层以及SiCO层中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述碳氟膜采用使用稀有气体而产生的等离子体CVD形成。

5.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述表面被氮化的部分的厚度为1～5nm。

6.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述表面被氮化的部分的厚度为2～3nm。

7.一种电子装置，其具有多层布线结构，其特征在于，所述多层布线结构的层间绝缘膜具有表面被氮化的碳氟膜和接触孔，在所述接触孔内填充有至少包含铜的金属，在所述接触孔的侧面在所述碳氟膜和所述金属之间设有阻挡层。

8.根据权利要求7所述的电子装置，其特征在于，所述阻挡层至少含有镍的氟化物层。

9.一种电子装置的制造方法，是具有多层布线结构的电子装置的制造方法，其特征在于，具有采用氟碳气体和稀有气体在基底层上形成碳氟膜的工序和对所述碳氟膜的表面进行氮化的工序。

10.根据权利要求9所述的电子装置的制造方法，其特征在于，所述基底层包含SiCN层、Si₃N₄层、SiO₂层以及SiCO层中的至少一种。

11.根据权利要求9所述的电子装置的制造方法，其特征在于，在形成所述碳氟膜的工序之后，具有在腔内通过氢和氧的混合气体产生等离子体对所述腔内壁进行清洗的工序。

12.一种电子装置的制造方法，是具有多层布线结构的电子装置的制造方法，其特征在于，具有作为层间绝缘膜的至少一部分形成碳氟膜的工序；对所述碳氟膜的表面进行氮化的工序。

13.根据权利要求12所述的电子装置的制造方法，其特征在于，所述氮化在包含N₂气体的等离子体中进行。

14.根据权利要求12所述的电子装置的制造方法，其特征在于，具有用稀有气体等离子体对所述碳氟膜的表面进行照射的工序。

15.根据权利要求12所述的电子装置的制造方法，其特征在于，具备：在所述碳氟膜上形成接触孔的工序；向所述接触孔中填充金属的工序。

16.根据权利要求12所述的电子装置的制造方法，其特征在于，具备：在所述碳氟膜上形成接触孔的工序；向所述接触孔中填充至少包含铜的导电材料的工序；为了防止所述铜的扩散而在所述接触孔的侧面上形成阻挡层的工序。