[发明专利]基于半导体光放大芯片的激光器无效
| 申请号： | 201010621994.0 | 申请日： | 2010-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102104232A | 公开（公告）日： | 2011-06-22 |
| 发明（设计）人： | 阮军;张首刚;吴长江;张辉;刘杰;刘丹丹 | 申请（专利权）人： | 中国科学院国家授时中心 |
| 主分类号： | H01S5/10 | 分类号： | H01S5/10;H01S5/30 |
| 代理公司： | 西安永生专利代理有限责任公司 61201 | 代理人： | 申忠才 |
| 地址： | 710600 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 半导体 放大 芯片 激光器 | ||
1.一种基于半导体光放大芯片的激光器，其特征在于：在底板(10)上设置有侧壁加工有导线孔、右侧壁加工有出光孔的盖体(9，盖体(9)内底板(10)的左侧设置安装有压电换能器(1)的支撑块(12)，压电换能器(1)的右侧设置有全反射镜(2)，底板(10)上全反射镜(2)右侧水平光轴方向设置有聚焦透镜(3)，聚焦透镜(3)右侧水平光轴方向设置有选模器件(4)，选模器件(4)右侧水平光轴方向设置有第一准直透镜(5)，第一准直透镜(5)右侧水平光轴方向设置有入射面镀有增透膜、出射镀有部分反射膜的半导体光放大芯片(6，半导体光放大芯片(6右侧水平光轴方向设置有第二准直透镜(7)，第二准直透镜(7)右侧水平光轴方向设置有柱透镜(8)。
2.按照权利要求1所述的基于半导体光放大芯片的激光器，其特征在于：所说的半导体光放大芯片(6)入射面的增透膜为真空交替蒸镀8～12层二氧化硅和二氧化锆增透膜、出射面的部分反射膜为真空交替蒸镀10～18层氟化镁和氟化钙反射膜或真空交替蒸镀10～16层二氧化硅和氟化镁反射膜。
3.按照权利要求1所述的基于半导体光放大芯片的激光器，其特征在于：所说的全反射镜(2)与半导体光放大芯片(6)出射面的部分反射膜构成激光谐振腔，聚焦透镜(3)位于谐振腔内，全反射镜(2位于聚焦透镜(3)的焦点所在的垂直平面内，全反射镜(2)与聚焦透镜(3)之间的距离与聚焦透镜(3)的焦距相等，全反射镜(2)的镜面上真空交替蒸镀有24～30层三氧化二铝和五氧化二钽反射膜。
4.按照权利要求1所述的基于半导体光放大芯片的激光器，其特征在于：所说的选模器件(4)为带宽小于200GHz、刻线密度为300～600l/mm的透射光栅或透过率为80％～97％的法布里-珀罗标准具。
5.按照权利要求1所述的基于半导体光放大芯片的激光器，其特征在于：所说的半导体光放大芯片(6)与第一准直透镜(5)之间的距离与第一准直透镜(5)的焦距相等。
6.按照权利要求1所述的基于半导体光放大芯片的激光器，其特征在于：所说的柱透镜(8)与半导体光放大芯片(6)之间的距离与柱透镜(8)的焦距相等。
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