[发明专利]一种带静电保护的发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种带静电保护的发光二极管，它包括蓝宝石衬底(10)以及依次置于蓝宝石衬底(10)上方的N型GaN层(11)、有源发光层(12)、P型GaN层(13)和ITO薄膜(14)，ITO薄膜(14)和N型GaN层(11)上分别置有金属接触电极(16)，其特征在于，所述发光二极管中包括一个主发光二极管(1)和一个集成的静电损伤保护二极管(2)，主发光二极管(1)的正极与静电损伤保护二极管(2)的负极相连并引出作为正极，主发光二极管(1)的负极与静电损伤保护二极管(2)的正极相连引出作为负极；发光二极管的一侧有一条从顶面刻蚀到蓝宝石衬底(10)的绝缘沟道，绝缘沟道上填充有SiO₂绝缘层(15)，SiO₂绝缘层(15)外围覆盖有金属接触电极(16)。

2.如权利要求1所述的带静电保护的发光二极管的制备方法，它包括如下步骤：

1)利用氮化物发光二极管制作工艺制作主发光二极管(1)的同时，完成静电损伤保护二极管(2)的制作工艺，使主发光二极管(1)的正极与静电损伤保护二极管(2)的负极相连并引出作为正极，主发光二极管(1)的负极与静电损伤保护二极管(2)的正极相连引出作为负极；

2)在蓝宝石衬底(10)上用金属有机化合物化学气相淀积MOCVD技术依次向上外延生长N型GaN层(11)、有源发光层(12)和P型GaN层(13)；

3)利用光刻和干法刻蚀技术刻蚀出一条延伸到蓝宝石衬底(10)的绝缘沟道；

4)利用光刻和干法刻蚀技术刻蚀到N型GaN层(11)，形成N型接触GaN区；

5)利用光刻和蒸发的方法在P型GaN层(13)上表面制备ITO薄膜(14)；

6)利用光刻和沉积的方法在绝缘沟道上制作SiO₂绝缘层(15)；

7)利用光刻和蒸发的方法在ITO薄膜(14)上和N型接触GaN区上制作金属接触电极(16)；

8)最后，将蓝宝石衬底(10)从背面减薄并进行抛光，切割后形成单个带静电保护的发光二极管。

3.根据权利要求2所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述绝缘沟道宽度大于10微米。

4.根据权利要求2或3所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述蓝宝石衬底(10)从背面减薄到70微米到150微米之间。