[发明专利]一种能提高光提取效率的发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种能提高光提取效率的发光二极管，它包括基板(11)以及置于基板(11)上方的依次由N型半导体层(21)、发光层(22)、P型半导体层(23)和透明导电层(41)组成的发光结构，透明导电层(41)上的一端置有P型电极(52)，在N型半导体层(21)上、与P型电极(52)相对的另一端置有N型电极(51)；其特征在于，所述P型半导体层(23)和透明导电层(41)之间置有正向光导出结构(31)，正向光导出结构(31)为等间距矩阵排列的数多个小凸块。

2.根据权利要求1所述的所述能提高光提取效率的发光二极管，其特征在于，所述正向光导出结构(31)采用对所发出的光为透明的且对光的折射率大小介于P型半导体层(23)和透明导电层(41)折射率之间的材料。

3.根据权利要求1或2所述的所述能提高光提取效率的发光二极管，其特征在于，所述小凸块的高度为0.1-10μm，小凸块的底部直径为1-10μm，小凸块的之间的间距为1-10μm。

4.一种能提高光提取效率的发光二极管的制备方法，其步骤为：

1)在基板(11)上用晶体材料外延生长技术分别外延生长N型半导体层(21)、发光层(22)以及P型半导体层(23)；

2)利用光刻和刻蚀技术刻蚀出N型半导体层(21)的欧姆接触区；

3)利用光刻、刻蚀、蒸发的方法在P型半导体层(23)上制作正向光导出结构(31)；

4)利用光刻和蒸发的方法在正向光导出结构(31)上制作透明导电层(41)将其覆盖；

5)利用光刻和蒸发的方法制备N型电极(51)和P型电极(52)；

6)将制作完成的发光二极管从底面减薄，并沿设计好的分割道分割成单个管芯。