[发明专利]一种提高发光效率的发光二极管及其制备方法无效
| 申请号： | 201010622201.7 | 申请日： | 2010-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN102569577A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 张雪亮 | 申请（专利权）人： | 同方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/46;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 发光 效率 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
1.一种提高发光效率的发光二极管，它包括蓝宝石衬底(1)以及依次置于蓝宝石衬底(1)上方的氮化镓层(2)、ITO薄膜(5)和SiO2保护层二(7)，ITO薄膜(5)和氮化镓层(2)上分别置有金属电极(9)，其特征在于，所述蓝宝石衬底(1)的底面有数多个粗化孔(4)，蓝宝石衬底(1)下表面附着反射层(10)。
2.一种提高发光效率的发光二极管的制备方法，它包括如下步骤：
①在蓝宝石衬底(1)下表面和在蓝宝石衬底上方生长的氮化镓(2)的上表面用等离子化学气相沉积的方法分别覆盖SiO2保护层一(3)；
②用激光器在蓝宝石衬底(1)底面打数多个粗化孔(4)；
③用加热的浓硫酸和磷酸刻蚀粗化孔(4)的侧壁；
④用缓冲蚀刻液BOE去除SiO2保护层一(3)，并在氮化镓(2)的上表面用电子束蒸发方法蒸镀一层ITO薄膜(5)；
⑤用光刻和湿法刻蚀方法定义出N型氮化镓区域，然后用ICP刻蚀出N型电极区域(6)；
⑥用等离子化学气相沉积的方法在器件表面覆盖SiO2保护层二(7)；
⑦用光刻和湿法刻蚀的方法定义电极位置(8)；
⑧用电子束蒸发的方法蒸镀电极(9)；
⑨用研磨设备对蓝宝石衬底(1)从底面减薄；
⑩在蓝宝石衬底(1)下表面蒸镀一层反射层(10)。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述加热的浓硫酸和磷酸的温度为350℃，浓硫酸和磷酸的体积比为3∶1。
4.一种提高发光效率的发光二极管的制备方法，它包括如下步骤：
①在蓝宝石衬底(1)上方生长氮化镓(2)；
②在氮化镓(2)的上表面用电子束蒸发方法蒸镀一层ITO薄膜(5)；
③用光刻和湿法刻蚀方法定义出N型氮化镓区域，然后用ICP刻蚀出N型电极区域(6)；
④用等离子化学气相沉积的方法在器件表面覆盖SiO2保护层二(7)；
⑤用光刻和湿法刻蚀的方法定义电极位置(8)；
⑥用电子束蒸发的方法蒸镀电极(9)；
⑦用研磨设备对蓝宝石衬底(1)从底面减薄；
⑧用钻石刀划片机在蓝宝石衬底(1)底面按照垂直网格划出沟槽；
⑨在蓝宝石衬底(1)下表面蒸镀一层反射层(10)。
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