[发明专利]一种制作独立发光二极管的方法无效
| 申请号： | 201010622206.X | 申请日： | 2010-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN102569544A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 王立彬 | 申请（专利权）人： | 同方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制作 独立 发光二极管 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制作独立发光二极管的方法，其步骤为：
①在蓝宝石衬底(1)上采用外延的方法形成外延层(2)，外延层(2)包含N-GaN层、有源层和P-GaN层；
②在外延层(2)上表面涂光刻胶、曝光并显影形成掩蔽层(3)；
③用ICP设备进行深刻蚀，露出蓝宝石衬底(1)的上表面(10)，去除光刻胶并清洗；
④在器件表面生长一层SiO2膜(8)；
⑤在每两块外延层(2)之间的区域涂胶、曝光、显影，并用BOE进行湿法腐蚀，露出蓝宝石衬底(1)上的切割面(4)，然后去除光刻胶；
⑥用激光划片机在切割面(4)上划片，产生熔渣碎屑(9)；
⑦用磷酸与硫酸混合液体腐蚀掉熔渣碎屑(9)；
⑧用BOE溶液腐蚀掉SiO2膜(8)；
⑨在每块外延层(2)上进行台面刻蚀、电极和钝化层的制作，再从蓝宝石衬底(1)底面进行研磨、裂片，形成多个独立发光二极管。
2.根据权利要求1所述的制作独立发光二极管的方法，其特征在于，所述划片深度在15～40微米之间。
3.根据权利要求1或2所述的制作独立发光二极管的方法，其特征在于，所述磷酸与硫酸混合液体的温度在150℃～350℃之间。
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