[发明专利]有源矩阵基板、液晶面板、显示装置、电视接收机

说明书

本申请是2007年3月30日提出的申请号为200780013043.1的同名申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及液晶显示装置、各种EL显示装置等显示装置、和在这些显示装置中所使用的有源矩阵基板。

背景技术

有源矩阵基板广泛用于液晶显示装置、EL(Electro Luminescence：电致发光)显示装置等有源矩阵型显示装置中。一般的有源矩阵基板在其显示区域具有多个扫描信号线、多个数据信号线、和在它们的各个交点设置的TFT(Thin Film Transistor：薄膜晶体管)，通过该TFT从数据信号线向像素电极传送适当的电位信号。此外，也存在一种有源矩阵基板，其为了防止TFT断开期间中的自行放电和TFT断开电流引起的影像劣化，或者为了传送液晶驱动中的各种调制信号，在各个像素区域(显示区域)中具备保持电容配线。

但是，在显示区域中形成的多个保持电容配线在设置在显示区域的周围的非显示区域中与共用配线(主配线)连接。例如，在图37(a)、图37(b)所示的现有技术中，在非显示区域中，各个辅助电容线811通过接触孔808与利用和数据线804同一层的导电膜所形成的集合辅助电容线813(共用配线)连接(参照专利文献1、2)。其中，作为相关的公开文献，可以列举下述专利文献3、4。

专利文献1：日本国公开专利公报“特开2002-6773号公报(平成14年(2002)1月11日公开)”

专利文献2：日本国公开专利公报“特开平10-319433号公报(平成10年(1998)12月4日公开)”

专利文献3：日本国公开专利公报“特开平7-114044号公报(平成7年(1995)5月2日公开)”

专利文献4：日本国公开专利公报“特开平7-287252号公报(平成7年(1995)10月31日公开)”

发明内容

此处，在上述现有技术中，各个辅助电容配线811与栅极线802形成在相同的层，集合辅助电容线813(共用配线)形成在它们的上层(与数据线804相同的层)，在非显示区域中，集合辅助电容线813与栅极线802(扫描信号线)交叉。因此，在该交叉部分，在栅极线802上隔着绝缘膜803形成有集合辅助电容线813，为了确实防止栅极线802与集合辅助电容线813的短路，对非显示区域的绝缘膜803也要求相应的厚度。

另一方面，如果绝缘膜803的厚度增加，则形成接触孔时的蚀刻深度增加，很容易发生因绝缘膜803的膜厚、膜质的偏差等引起的接触孔808的形成不良。例如，如果接触孔形成位置的膜厚增大，则在绝缘膜蚀刻时未切开孔，有可能存在导致各个辅助电容线811与集合辅助电容线813接触不良的情况。

此外，在非显示区域中，对于使各个扫描信号线通过接触孔与外部连接用的引出配线连接的部分也存在同样的问题。即，为了确实防止引出配线与其它配线(例如，集合辅助电容线)的短路，对非显示区域的绝缘膜也要求相应的厚度，如果该绝缘膜的厚度增加，则形成接触孔时的蚀刻深度增加，很容易发生因绝缘膜的膜厚、膜质的偏差等引起的接触孔的形成不良。

本发明鉴于上述问题点而完成，其目的在于，提供一种在非显示区域中，能够精度良好地连接两个配线(例如，保持电容配线及其主配线)，并且不易发生这些配线与其它配线(例如，扫描信号线)的短路的有源矩阵基板。

本发明的有源矩阵基板，其具备多个保持电容配线和覆盖它们的绝缘膜，其特征在于：各个保持电容配线在非显示区域中与位于绝缘膜的上层的主配线通过接触孔连接，上述绝缘膜在该接触孔内(接触孔的开口下)具有挖通部分，与该挖通部分相邻的区域的膜厚变小。此外，本有源矩阵基板也可以说，其具备通过设置在非显示区域中的接触孔连接的两个配线、和与这些配线中的一个配线在相同的层上设置且与另一个配线在非显示区域中交叉的交叉配线，其特征在于：位于上述两个配线间的绝缘层具备用于形成上述接触孔的挖通部、与挖通部相接的第一膜厚部、和至少位于上述另一个配线与交叉配线交叉的部分的膜厚比第一膜厚部大的第二膜厚部。例如，上述两个配线是保持电容配线及其主配线，交叉配线是扫描信号线。

上述结构可通过以下方式得到：在非显示区域中，在上述绝缘膜上预先形成局部膜厚变小的部分，并且挖通其一部分(例如中央部)形成上述接触孔(连接保持电容配线与主配线的接触孔)。

于是，对于非显示区域的绝缘膜，如果事先使接触孔形成位置及其附近薄，其它的部分厚，则不仅能够确实避免主配线与其它配线(例如，扫描信号线)的短路，同时能够精度良好地将该主配线与保持电容配线连接。