[发明专利]液晶显示设备及其制造方法

权利要求书

1.一种液晶显示设备，包括：

设置在基板上的栅极线；

形成在基板上且与栅极线交叉以限定像素区域的数据线；

设置成基本平行于栅极线的公共线；

形成在栅极线和数据线之间的交叉处的薄膜晶体管(TFT)，每一个薄膜晶体管包括从相应栅极线延伸的栅极、栅极绝缘层、有源层、欧姆接触层、从相应数据线延伸的源极和与源极隔开的漏极；

钝化层，每一个钝化层都形成在薄膜晶体管上且具有用于暴露出相应漏极的一部分的接触孔；和

像素电极，每一个像素电极都由形成在相应钝化层上的导电层和绝缘层构成，且经由相应接触孔电连接到相应漏极。

2.如权利要求1的液晶显示设备，其中所述像素电极的每一个的导电层由钼钛(MoTi)制成，所述像素电极的每一个的绝缘层由氮化铜(CuN)制成。

3.如权利要求1的液晶显示设备，其中所述像素电极的每一个的导电层由钼钛(MoTi)制成，所述像素电极的每一个的绝缘层由氮化钼钛(MoTiN)制成。

4.如权利要求1的液晶显示设备，其中所述像素电极的每一个的导电层由选自包括钼钛(MoTi)、铝(Al)、Al合金、铬(Cr)、钨(W)和铜(Cu)的导电金属组，或者选自包括ITO、AZO、ZnO和IZO的透明金属中的一种或一种以上材料制成。

5.如权利要求4的液晶显示设备，其中所述像素电极的每一个的导电层是金属合金层，所述像素电极的每一个的绝缘层是金属氧化物层。

6.如权利要求1的液晶显示设备，其中所述像素电极的每一个的绝缘层由选自包括金属氮化物、金属氧化物、ITO、氮化物和氧化物的无机绝缘材料的材料制成，所述金属氮化物和金属氧化物中包含的金属是铜(Cu)、铝(Al)、铝(Al)合金、铬(Cr)、钨(W)或钼钛(MoTi)。

7.如权利要求1的液晶显示设备，其中对于所述薄膜晶体管中的每一个，所述栅极线、公共线、数据线或者源极和漏极具有由金属层和无机绝缘层构成的双层结构。

8.如权利要求7的液晶显示设备，其中所述金属层由选自包括钼钛(MoTi)、铝(Al)、铝(Al)合金、铬(Cr)、钨(W)和铜(Cu)的导电金属组，或者选自包括ITO、AZO、ZnO和IZO的透明金属中的一种或一种以上材料制成，

其中所述无机绝缘层由选自包括金属氮化物、金属氧化物、ITO、氮化物和氧化物的无机绝缘材料中的一种材料制成，和

其中所述金属氮化物和金属氧化物中包含的金属是铜(Cu)、铝(Al)、铝(Al)合金、铬(Cr)、钨(W)或钼钛(MoTi)。

9.如权利要求1的液晶显示设备，其中所述像素电极的每一个的导电层具有由金属层和透明导电层构成的双层结构，和

其中所述像素电极的每一个中的绝缘层具有单层结构。

10.如权利要求9的液晶显示设备，其中所述金属层由选自包括钼钛(MoTi)、铝(Al)、铝(Al)合金、铬(Cr)、钨(W)和铜(Cu)的导电金属组的一种或一种以上材料制成，

其中所述透明导电层由选自包括ITO、AZO、ZnO和IZO的透明金属的一种或一种以上材料制成，

其中所述绝缘层由选自包括金属氮化物、金属氧化物、ITO、氮化物和氧化物的无机绝缘材料的一种材料制成，

其中所述金属氮化物和金属氧化物中包含的金属是铜(Cu)、铝(Al)、铝(Al)合金、铬(Cr)、钨(W)或钼钛(MoTi)。

11.如权利要求1的液晶显示设备，其中所述像素电极在与所述公共线延伸的方向基本平行的方向上延伸。

12.一种形成液晶显示设备的方法，该方法包括：

在基板上形成栅极线；

在基板上形成数据线，该数据线与栅极线交叉以限定像素区域；

形成基本平行于栅极线的公共线；

在栅极线和数据线之间的交叉处形成薄膜晶体管(TFT)，每个薄膜晶体管包括从相应栅极线延伸的栅极、栅极绝缘层、有源层、欧姆接触层、从相应数据线延伸的源极和与源极隔开的漏极；

在薄膜晶体管上形成钝化层，每个钝化层都具有用于暴露出相应的漏极的一部分的接触孔；和

形成像素电极，每个像素电极都由形成在相应钝化层上的导电层和绝缘层构成，且经由相应接触孔电连接到相应漏极。