[发明专利]一种防止硅片在热处理过程中崩边的方法及石英舟有效
| 申请号： | 201010622618.3 | 申请日： | 2010-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN102560683A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 刘佐星;孙洪波;赵伟;王海涛;蔡丽燕;冯丽 | 申请（专利权）人： | 有研半导体材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 郭佩兰 |
| 地址： | 100088*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 防止 硅片 热处理 过程 中崩边 方法 石英 | ||
【权利要求书】：
1.一种防止硅片在热处理过程中崩边的方法，其特征在于：将原放置硅片的石英舟槽体的断面从V型改成为其槽体底部为圆弧型，槽体斜面与硅片的倒角相平行，使硅片在石英舟中的接触面为面接触。
2.一种用于权利要求1所述方法的石英舟，其特征在于：放置硅片的石英舟槽体的底部为圆弧，圆弧的半径为R，槽体斜面与硅片的倒角相平行，槽体斜面与圆弧相切的切线张角为M，石英舟槽体的深度H。
3.根据权利要求2所述的石英舟，其特征在于：所述的R、H、M的数值由下式确定：其中R＝d、H＝d*(1-2*SIN(a/2))+C/(2*TAN(a/2))、M＝a，其中a代表倒角轮的槽体张角，d代表倒角轮槽体底部圆弧的半径，C为硅片厚度C。
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