[发明专利]一种倒装芯片的封装方法

权利要求书

1.一种倒装芯片的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一引线框架，在引线框架上设置有多个凸出于引线框架顶面的互连导杆；

将正面设置有键合衬垫的芯片倒装焊接至所述引线框架上，其中，所述键合衬垫与所述互连导杆焊接；

于引线框架的顶面进行塑封，以塑封料塑封包覆所述芯片及互连导杆；

于引线框架的底面蚀刻引线框架，形成与互连导杆连接并凸出于塑封料底面的接触端子；

于所述接触端子的表面设置一层金属保护层；

粘贴一层薄膜至减薄后的塑封料的顶面；

切割塑封料并移除薄膜形成多颗以塑封体塑封包覆所述芯片的封装体。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，通过涂覆在互连导杆上的导电材料，将所述键合衬垫与所述互连导杆焊接。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，通过镀于互连导杆上的导电材料及镀于键合衬垫上的金属镀层，将所述键合衬垫与所述互连导杆共晶焊接。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在芯片塑封后研磨减薄塑封料及芯片，并将减薄后的芯片的背面于减薄后的塑封料的顶面中予以外露的步骤。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，还包括沉积一层背面金属层至减薄后的芯片的背面的步骤。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，在沉积一层背面金属层至减薄后的芯片的背面之前，还在减薄后的芯片的背面进行以下工艺步骤：

进行蚀刻；

并且进行离子注入及激光退火。

7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述接触端子凸出至塑封体的底面之外，并且所述背面金属层外露于塑封体的顶面。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述芯片为金属氧化物半导体场效应管，所述键合衬垫至少包括构成芯片栅极电极的栅极键合衬垫、构成芯片源极电极的源极键合衬垫，并且所述背面金属层构成芯片的漏极电极。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，进一步将所述封装体黏接至一基座上，其中，背面金属层通过导电材料与基座黏接，连接栅极键合衬垫的接触端子通过一金属导体电性连接至设置在基座周围的栅极焊盘上，连接源极键合衬垫的接触端子通过另一金属导体电性连接至设置在基座周围的源极焊盘上；以及

基座周围还设置有电性连接至基座的漏极焊盘。

10.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述芯片为共漏极双金属氧化物半导体场效应管，其中，所述背面金属层构成共漏极双金属氧化物半导体场效应管所包含的第一、第二金属氧化物半导体场效应管各自的漏极电极；以及

第一、第二金属氧化物半导体场效应管各自的漏极电极通过背面金属层彼此相互电性连接。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，键合衬垫至少包括构成第一金属氧化物半导体场效应管栅极电极的第一栅极键合衬垫、构成第一金属氧化物半导体场效应管源极电极的第一源极键合衬垫；以及

键合衬垫还包括构成第二金属氧化物半导体场效应管栅极电极的第二栅极键合衬垫、构成第二金属氧化物半导体场效应管源极电极的第二源极键合衬垫。

12.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述芯片为高端金属氧化物半导体场效应管和低端金属氧化物半导体场效应管集成的双金属氧化物半导体场效应管，其中，所述背面金属层构成高端金属氧化物半导体场效应管的源极电极和低端金属氧化物半导体场效应管的漏极电极；以及

高端金属氧化物半导体场效应管的源极电极和低端金属氧化物半导体场效应管的漏极电极通过背面金属层彼此相互电性连接。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，键合衬垫至少包括构成高端金属氧化物半导体场效应管栅极电极的第一栅极键合衬垫、构成高端金属氧化物半导体场效应管漏极电极的第一漏极键合衬垫；以及

键合衬垫还包括构成低端金属氧化物半导体场效应管栅极电极的第二栅极键合衬垫、构成低端金属氧化物半导体场效应管源极电极的第二源极键合衬垫。

14.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述芯片为共漏极双金属氧化物半导体场效应管，其中，所述芯片的背面构成共漏极双金属氧化物半导体场效应管所包含的第一、第二金属氧化物半导体场效应管各自的漏极。