[发明专利]发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管，所述发光二极管包括：

下半导体层，形成在基底上；

上半导体层，设置在下半导体层之上，以暴露下半导体层的边缘区域的至少一部分；

第一电极，形成在上半导体层的区域上，绝缘层置于第一电极和上半导体层的所述区域之间，以将电流供应到下半导体层；

第二电极，形成在上半导体层的另一区域上，以将电流供应到上半导体层；

第一电极的延伸部分，从第一电极延伸到暴露的下半导体层的至少一部分。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其中，绝缘层形成在上半导体层的整个上表面上。

3.如权利要求2所述的发光二极管，其中，绝缘层包括在第一电极之下的分布布拉格反射器结构的绝缘层。

4.如权利要求1所述的发光二极管，其中，绝缘层是在第一电极之下的分布布拉格反射器结构的绝缘层。

5.如权利要求4所述的发光二极管，所述发光二极管还包括：在形成为暴露下半导体层的边缘区域的至少一部分的台面区域中的第一电极的延伸部分之下的分布布拉格反射器结构的绝缘层。

6.如权利要求1所述的发光二极管，所述发光二极管还包括：围绕被形成为到达暴露的下半导体层的至少一部分的第一电极的延伸部分的分布布拉格反射器结构的绝缘层。

7.如权利要求1所述的发光二极管，所述发光二极管还包括：在第二电极之下的分布布拉格反射器结构的绝缘层。

8.如权利要求1所述的发光二极管，其中，第一电极的延伸部分形成在从上半导体层延伸到下半导体层的倾斜的台面上。

9.如权利要求1所述的发光二极管，所述发光二极管还包括：第二电极的延伸部分，从第二电极在上半导体层上延伸。

10.如权利要求1所述的发光二极管，其中，基底还包括分布布拉格反射器结构的绝缘层。

11.如权利要求10所述的发光二极管，其中，基底是图案化蓝宝石基底结构并且分布布拉格反射器结构的绝缘层形成在基底的图案化蓝宝石基底区域上。

12.如权利要求10所述的发光二极管，其中，分布布拉格反射器结构的绝缘层形成在基底的底表面上。

13.如权利要求1所述的发光二极管，所述发光二极管还包括：透明电极层，在上半导体层上。

14.如权利要求1所述的发光二极管，其中，通过将具有不同的折射率的至少两种绝缘层彼此交替地一个在另一个上地堆叠来形成所述绝缘层，在最外侧的绝缘层包括Si化合物。

15.如权利要求6所述的发光二极管，其中，通过将具有不同的折射率的至少两种绝缘层彼此交替地一个在另一个上地堆叠来形成分布布拉格反射器结构的绝缘层，在最外侧的绝缘层包括Si化合物。

16.如权利要求7所述的发光二极管，其中，通过将具有不同的折射率的至少两种绝缘层彼此交替地一个在另一个上地堆叠来形成分布布拉格反射器结构的绝缘层，在最外侧的绝缘层包括Si化合物。

17.如权利要求10所述的发光二极管，其中，通过将具有不同的折射率的至少两种绝缘层彼此交替地一个在另一个上地堆叠来形成分布布拉格反射器结构的绝缘层，在最外侧的绝缘层包括Si化合物。