[发明专利]一种显示器驱动电路

说明书

技术领域

本申请涉及微电子显示技术，更具体地，本申请涉及一种硅基OLED显示屏和驱动电路。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)为电流驱动器件，要求背板电路能提供精确、稳定的电流控制。早期的有源背板采用的是非晶硅(amorphous silicon，a-Si)TFT技术，但是由于非晶硅的迁移率较低及阈值电压的不稳定等原因，使其没有获得成功。相比非晶硅而言，低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)TFT的迁移率要高得多，但是阈值电压仍存在均匀性不一致的问题，所以需要在像素电路的设计中进行一定的电路补偿，目前已有的OLED显示器大部分采用的都是LTPS TFT背板技术。而在大尺寸OLED量产方面，LTPS的制造技术尚不成熟，没有统一的标准生产线，要制备LTPS TFT背板必须投巨资建造专用生产线。

硅基OLED微型显示器件采用单晶硅CMOS基板技术，相比其他基板技术而言，单晶硅具有载流子迁移率高、阈值电压稳定等优点，可以将像素矩阵及周边驱动电路等都集成在显示屏上，大大减小整个显示系统的体积及成本，同时成熟的CMOS集成电路工艺也为硅基OLED微型显示器件的基板制作提供了便利，且单晶硅CMOS基板生产工艺流程标准化，仅需支付小额的加工费用就可以在任何一家标准的单晶硅CMOS基板生产线上制备基板；同时硅基OLED基板上的每个像素面积可以做得很小，利于显示分辨率的提高。在单晶硅CMOS基板芯片的设计上，主要考虑的是如何精确控制流过OLED的电流，从而实现良好的灰度图象显示。同时芯片功耗也非常重要，因为硅基OLED微型显示器件也就可以用于便携式近眼显示，由普通手机电池供电，低功耗电路可延长电池的使用寿命。

发明内容

为精确控制OLED的电流并且降低电路功耗，克服上述的现有LTPS TFT背板像素电路存在的缺陷，本申请提供一种基于单晶硅CMOS基板技术的一种硅基OLED显示屏和驱动电路。

根据本申请的一个方面，提供一种显示器驱动电路，包括：像素单元电路矩阵、行驱动器电路、列驱动器电路、分频分流器电路、Vcom反转开关电路和OLED发光层测试区；其中列驱动器电路分为镜像对称的上下两组电路，分别驱动奇偶数据线；其中，所述行扫描驱动器位于驱动电路的左部，具有606个驱动单元，依照帧触发时钟和扫描时钟脉冲同步控制，依次驱动。

综上所述，通过应用本发明，可以减少整机空间的尺寸，降低整机功耗。

附图说明

图1示出根据本发明的显示屏区域示意图；

图2示出时分脉宽调制帧周期的示意图；

图3示出显示屏的功能结构示意图；

图4示出像素单元电路的示意图；

图5示出行扫描器电路的示意图；

图6示出列扫描器电路的示意图；

图7示出电平移位器电路的示意图；

图8示出分频分流器电路的示意图；

图9示出Vcom反转开关电路的示意图；

图10示出图3所示结构的版图布图；

图11示出图4所示的像素电路的详细结构。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明提供的一种硅基OLED显示屏和驱动电路进行详细描述。

对于本申请所述的单色OLEDoS显示芯片(SVGA)的规格，其一般特征包括：单色硅基OLED(OLEDoS)显示芯片拥有864×606像素分辨率，按照时分脉宽调制模式实现灰度显示，以备近眼显示应用。输入该芯片的视频数字信号为16b子场数据流，即按照子场数目从1-8的不同设置，灰度可实现2-256级灰度显示。OLEDoS芯片可输入的数字信号的低电位为V_L，可以取0V，高电位为V_H，可以取3.3V。

总的来说，本申请的显示芯片具有的特征包括：适合于单色显示用途的SVGA像素分辨率；根据接口电路输入信号子场设置可进行2-256级灰度显示；采用CMOS工艺实现OLED发光层负载驱动；像素单元中OELD发光层驱动管的工作状态可自由外置；对OLED发光层实现了脉冲驱动模式；无固定像素时钟设置要求，形成视频数据传输通道；OLEDoS芯片上集成行列驱动器，其中包括输入信号缓存电路模块、电压分配电路模块、接口静电防护电路模块，分频器电路模块，行存储器模块等；显示图像可跟随输入数据输入方式进行对称镜面转换。