[发明专利]一种硅基OLED显示芯片像素电路结构及其驱动方法

权利要求书

1.一种硅基OLED显示芯片像素电路结构，其特征在于，至少由读入PMOS管源极(3)以及读入PMOS(P-channel Metal Oxide Semiconductor，P型沟道金属氧化物半导体)管栅极以及读入PMOS管漏极(5)构成的读入PMOS管(4)、至少由PIP电容器低阻多晶硅上电极(6)以及PIP电容器高阻多晶硅下电极(8)构成的PIP(Poly Si-insulator-Poly Si，多晶硅-绝缘层-多晶硅)电容器、至少由驱动PMOS管源极(15)以及驱动PMOS管栅极(13)以及驱动PMOS管漏极(16)构成的驱动PMOS管(12)、至少由写出PMOS管(19)源极(18)以及写出PMOS管(19)栅极以及写出PMOS管(19)漏极构成的写出PMOS管(19)、至少由地线保护PMOS管源极(30)以及地线保护PMOS管栅极(34)以及地线保护PMOS管漏极(32)构成的地线保护PMOS管(31)、通过读入PMOS管源极连线(2)与所述读入PMOS管源极(3)相连接的视频数据串行位线(22)、同时连接PIP上电极连线(7)和驱动PMOS管源极连线(14)的电源线(1)、通过地线保护PMOS管漏极连线(33)与所述地线保护PMOS管漏极(32)相连接的OV地线、通过读入PMOS管栅极连线与所述读入PMOS管栅极(23)相连接的正相行选通线(25)、通过写出PMOS管(19)栅极连线与所述写出PMOS管(19)栅极相连接的负相行选通线(27)、与驱动电极连接线(37)相连接的OLED发光层驱动电极(38)。

2.根据权利要求1所述的一种硅基OLED显示芯片像素电路结构，其特征在于，所述PIP上电极连线(7)连接到所述PIP电容器低阻多晶硅上电极(6)，所述驱动PMOS管源极连线(14)连接到所述驱动PMOS管源极(15)，所述PIP电容器高阻多晶硅下电极(8)通过PIP下电极连线(10)连接到把所述读入PMOS管漏极(5)与所述驱动PMOS管栅极(13)连通的漏栅极连接线(11)上，所述驱动PMOS管漏极(16)与所述写出PMOS管(19)源极(18)通过源漏极连接线(17)相连通，所述地线保护PMOS管栅极(34)、所述地线保护PMOS管源极(30)、所述写出PMOS管(19)漏极分别通过地线保护PMOS管栅极连线(35)、地线保护PMOS管源极连线(29)、写出PMOS管(19)漏极连线与所述驱动电极连接线(37)相连接。

3.根据权利要求1所述的一种硅基OLED显示芯片像素电路结构，其特征在于，所述电源线(1)、所述正相行选通线(25)、所述负相行选通线(27)、所述OV地线沿水平方向设置，且互不相交连通。

4.根据权利要求1所述的一种硅基OLED显示芯片像素电路结构，其特征在于，所述视频数据串行位线(22)沿垂直方向设置，且与所述电源线(1)、所述正相行选通线(25)、所述负相行选通线(27)、所述OV地线互不连通。

5.根据权利要求1所述的一种硅基OLED显示芯片像素电路结构，其特征在于，所述OLED发光层驱动电极(38)由纯度超过99％的铝金属制成，且所述OLED发光层驱动电极(38)覆盖的面积不超过所述硅基OLED显示芯片像素电路结构面积的90％。

6.根据权利要求3所述的一种硅基OLED显示芯片像素电路结构，其特征在于， 所述电源线(1)上承载不低于3.3V的恒定电位值。

7.根据权利要求3所述的一种硅基OLED显示芯片像素电路结构，其特征在于，所述视频数据串行位线(22)中交替承载高电位信号和低电位信号，且所述高电位信号数值不低于所述电源线(1)上承载的不低于3.3V的恒定电位值，所述低电位信号数值不高于比所述高电位信号数值低0.5V的数值，所述正相选通线和所述负相选通线上承载的信号为互不交叠反相电压信号。

8.根据权利要求1所述的一种硅基OLED显示芯片像素电路结构，其特征在于，所述一种硅基OLED显示芯片像素电路结构采用PMOS制程工艺在N型单晶硅衬底上生产实现。

9.适于本发明的一种硅基OLED显示芯片像素电路驱动方法，其特征在于，包括上电后循环完成如下阶段：

第一阶段：视频数据信号第1位输入，顺序完成如下两个步骤：

1)本阶段开始后的1至2微秒时间内所述正相选通线上输入OV电位，同时的1至2微秒时间内所述负相选通线上输入不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0.5V的电位，同时的1至2微秒时间内所述视频数据串行位线(22)上输入视频数据信号第1位，

承载OV电位的所述正相选通线启动所述读入PMOS管(4)导通，所述视频数据串行位线(22)中的信号经过所述读入PMOS管源极连线(2)、所述读入PMOS管(4)、所述漏栅极连接线(11)、PIP下电极连线(10)传入所述PIP电容器(9)进行存储，如果从所述视频数据串行位线(22)传入PIP电容器(9)的信号的数值低于比所述电源线(1)上承载的不低于3.3V的恒定电位值低0.5V的数值，则所述漏栅极连接线(11)启动所述驱动PMOS管(12)进入线性工作状态，进入线性工作状态的所述驱动PMOS管(12)允许不超过100纳安的电流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管(12)流进所述源漏极连接线(17)；如果从所述视频数据串行位线(22)传入PIP电容器(9)的信号的数值不低于比所述电源线(1)上承载的不低于3.3V的恒定电位值低0.5V的数值，则所述漏栅极连接线(11)启动所述驱动PMOS管(12)进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述驱动PMOS管(12)只允许不超过1纳安的电流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管(12)流进所述源漏极连接线(17)，

承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0.5V的电位的所述负相选通线通过所述写出PMOS管(19)栅极连线启动所述写出PMOS管(19)进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述写出PMOS管(19)只允许不超过1纳安的电流从所述源漏极连接线(17)经由所述写出PMOS管(19)流进所述写出PMOS管(19)漏极连线，

2)本阶段开始后的10至800微秒之后的3000至4000微秒时间内所述正相选通线上输入不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0.5V的电位，同时的3000至4000 微秒时间内所述负相选通线上输入OV电位，

承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0.5V的电位的所述正相选通线启动所述读入PMOS管(4)进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述读入PMOS管(4)只允许不超过1纳安的电流或从所述读入PMOS管源极连线(2)经由所述读入PMOS管(4)流进所述漏栅极连接线(11)或从所述漏栅极连接线(11)经由所述读入PMOS管(4)流进所述读入PMOS管源极连线(2)，

承载OV电位的所述负相选通线启动所述写出PMOS管(19)导通，如果所述驱动PMOS管(12)处于截止工作状态，则只有不超过1纳安的电流从所述漏栅极连接线(11)经由所述写出PMOS、所述写出PMOS管(19)漏极连线、所述驱动电极连线进入所述OLED发光层驱动电极(38)；如果所述驱动PMOS管(12)处于线性工作状态，则允许不超过100纳安的电流从所述漏栅极连接线(11)经由所述写出PMOS、所述写出PMOS管(19)漏极连线、所述驱动电极连线进入所述OLED发光层驱动电极(38)，

第二阶段：完成视频数据信号第1位写入阶段后进入视频数据信号第2位写入，分别完成如下步骤：

1)本阶段开始后的1至2微秒时间内所述正相选通线上输入OV电位，同时的1至2微秒时间内所述负相选通线上输入不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0.5V的电位，同时的1至2微秒时间内所述视频数据串行位线(22)上输入视频数据信号第2位，

承载OV电位的所述正相选通线启动所述读入PMOS管(4)导通，所述视频数据串行位线(22)中的信号经过所述读入PMOS管源极连线(2)、所述读入PMOS管(4)、所述漏栅极连接线(11)、PIP下电极连线(10)传入所述PIP电容器(9)进行存储，如果从所述视频数据串行位线(22)传入PIP电容器(9)的信号的数值低于比所述电源线(1)上承载的不低于3.3V的恒定电位值低0.5V的数值，则所述漏栅极连接线(11)启动所述驱动PMOS管(12)进入线性工作状态，进入线性工作状态的所述驱动PMOS管(12)允许不超过100纳安的电流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管(12)流进所述源漏极连接线(17)；如果从所述视频数据串行位线(22)传入PIP电容器(9)的信号的数值不低于比所述电源线(1)上承载的不低于3.3V的恒定电位值低0.5V的数值，则所述漏栅极连接线(11)启动所述驱动PMOS管(12)进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述驱动PMOS管(12)只允许不超过1纳安的电流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管(12)流进所述源漏极连接线(17)，

承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0.5V的电位的所述负相选通线通过所述写出PMOS管(19)栅极连线启动所述写出PMOS管(19)进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述写出PMOS管(19)只允许不超过1纳安的电流从所述源漏极连接线(17)经由所述写出PMOS管(19)流进所述写出PMOS管(19)漏极连线， 

2)本阶段开始后的10至800微秒之后的1500至2000微秒时间内所述正相选通线上承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0.5V的电位，同时的1500至2000微秒时间内所述负相选通线上承载OV电位，

承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0.5V的电位的所述正相选通线启动所述读入PMOS管(4)进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述读入PMOS管(4)只允许不超过1纳安的电流或从所述读入PMOS管源极连线(2)经由所述读入PMOS管(4)流进所述漏栅极连接线(11)或从所述漏栅极连接线(11)经由所述读入PMOS管(4)流进所述读入PMOS管源极连线(2)，

承载OV电位的所述负相选通线启动所述写出PMOS管(19)导通，如果所述驱动PMOS管(12)处于截止工作状态，则只有不超过1纳安的电流从所述漏栅极连接线(11)经由所述写出PMOS、所述写出PMOS管(19)漏极连线、所述驱动电极连线进入所述OLED发光层驱动电极(38)；如果所述驱动PMOS管(12)处于线性工作状态，则允许不超过100纳安的电流从所述漏栅极连接线(11)经由所述写出PMOS、所述写出PMOS管(19)漏极连线、所述驱动电极连线进入所述OLED发光层驱动电极(38)，

第三阶段：完成视频数据信号第2位写入阶段后进入视频数据信号第3位写入，分别完成如下步骤：

1)本阶段开始后的1至2微秒时间内所述正相选通线上输入OV电位，同时的1至2微秒时间内所述负相选通线上输入不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0.5V的电位，同时的1至2微秒时间内所述视频数据串行位线(22)上输入视频数据信号第3位，

承载OV电位的所述正相选通线启动所述读入PMOS管(4)导通，所述视频数据串行位线(22)中的信号经过所述读入PMOS管源极连线(2)、所述读入PMOS管(4)、所述漏栅极连接线(11)、PIP下电极连线(10)传入所述PIP电容器(9)进行存储，如果从所述视频数据串行位线(22)传入PIP电容器(9)的信号的数值低于比所述电源线(1)上承载的不低于3.3V的恒定电位值低0.5V的数值，则所述漏栅极连接线(11)启动所述驱动PMOS管(12)进入线性工作状态，进入线性工作状态的所述驱动PMOS管(12)允许不超过100纳安的电流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管(12)流进所述源漏极连接线(17)；如果从所述视频数据串行位线(22)传入PIP电容器(9)的信号的数值不低于比所述电源线(1)上承载的不低于3.3V的恒定电位值低0.5V的数值，则所述漏栅极连接线(11)启动所述驱动PMOS管(12)进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述驱动PMOS管(12)只允许不超过1纳安的电流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管(12)流进所述源漏极连接线(17)，

承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0.5V的电位的所述负相选通线通过所述写出PMOS管(19)栅极连线启动所述写出PMOS管(19)进入截止工作状态， 进入截止工作状态的所述写出PMOS管(19)只允许不超过1纳安的电流从所述源漏极连接线(17)经由所述写出PMOS管(19)流进所述写出PMOS管漏极连线(21)，

2)本阶段开始后的10至800微秒之后的750至1000微秒时间内所述正相选通线上承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0.5V的电位，同时的750至1000微秒时间内所述负相选通线上承载OV电位，

承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0.5V的电位的所述正相选通线启动所述读入PMOS管(4)进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述读入PMOS管(4)只允许不超过1纳安的电流或从所述读入PMOS管源极连线(2)经由所述读入PMOS管(4)流进所述漏栅极连接线(11)或从所述漏栅极连接线(11)经由所述读入PMOS管(4)流进所述读入PMOS管源极连线(2)，

承载OV电位的所述负相选通线启动所述写出PMOS管(19)导通，如果所述驱动PMOS管(12)处于截止工作状态，则只有不超过1纳安的电流从所述漏栅极连接线(11)经由所述写出PMOS、所述写出PMOS管漏极连线(21)、所述驱动电极连线进入所述OLED发光层驱动电极(38)；如果所述驱动PMOS管(12)处于线性工作状态，则允许不超过100纳安的电流从所述漏栅极连接线(11)经由所述写出PMOS、所述写出PMOS管漏极连线(21)、所述驱动电极连线进入所述OLED发光层驱动电极(38)，

第四阶段：完成视频数据信号第3位写入阶段后进入视频数据信号第4位写入，分别完成如下步骤：

1)本阶段开始后的1至2微秒时间内所述正相选通线上输入OV电位，同时的1至2微秒时间内所述负相选通线上输入不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0.5V的电位，同时的1至2微秒时间内所述视频数据串行位线(22)上输入视频数据信号第4位，

承载OV电位的所述正相选通线启动所述读入PMOS管(4)导通，所述视频数据串行位线(22)中的信号经过所述读入PMOS管源极连线(2)、所述读入PMOS管(4)、所述漏栅极连接线(11)、PIP下电极连线(10)传入所述PIP电容器(9)进行存储，如果从所述视频数据串行位线(22)传入PIP电容器(9)的信号的数值低于比所述电源线(1)上承载的不低于3.3V的恒定电位值低0.5V的数值，则所述漏栅极连接线(11)启动所述驱动PMOS管(12)进入线性工作状态，进入线性工作状态的所述驱动PMOS管(12)允许不超过100纳安的电流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管(12)流进所述源漏极连接线(17)；如果从所述视频数据串行位线(22)传入PIP电容器(9)的信号的数值不低于比所述电源线(1)上承载的不低于3.3V的恒定电位值低0.5V的数值，则所述漏栅极连接线(11)启动所述驱动PMOS管(12)进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述驱动PMOS管(12)只允许不超过1纳安的电流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管(12)流进所述源漏极连接线(17)， 

承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0.5V的电位的所述负相选通线通过所述写出PMOS管栅极连线(28)启动所述写出PMOS管(19)进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述写出PMOS管(19)只允许不超过1纳安的电流从所述源漏极连接线(17)经由所述写出PMOS管(19)流进所述写出PMOS管漏极连线(21)，

2)本阶段开始后的10至800微秒之后的350至500微秒时间内所述正相选通线上承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0.5V的电位，同时的350至500微秒时间内所述负相选通线上承载OV电位，

承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0.5V的电位的所述正相选通线启动所述读入PMOS管(4)进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述读入PMOS管(4)只允许不超过1纳安的电流或从所述读入PMOS管源极连线(2)经由所述读入PMOS管(4)流进所述漏栅极连接线(11)或从所述漏栅极连接线(11)经由所述读入PMOS管(4)流进所述读入PMOS管源极连线(2)，

承载OV电位的所述负相选通线启动所述写出PMOS管(19)导通，如果所述驱动PMOS管(12)处于截止工作状态，则只有不超过1纳安的电流从所述漏栅极连接线(11)经由所述写出PMOS、所述写出PMOS管漏极连线(21)、所述驱动电极连线进入所述OLED发光层驱动电极(38)；如果所述驱动PMOS管(12)处于线性工作状态，则允许不超过100纳安的电流从所述漏栅极连接线(11)经由所述写出PMOS、所述写出PMOS管漏极连线(21)、所述驱动电极连线进入所述OLED发光层驱动电极(38)，

第五阶段：完成视频数据信号第4位写入阶段后进入视频数据信号第5位写入，分别完成如下步骤：

1)本阶段开始后的1至2微秒时间内所述正相选通线上输入OV电位，同时的1至2微秒时间内所述负相选通线上输入不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0.5V的电位，同时的1至2微秒时间内所述视频数据串行位线(22)上输入视频数据信号第5位，

承载OV电位的所述正相选通线启动所述读入PMOS管(4)导通，所述视频数据串行位线(22)中的信号经过所述读入PMOS管源极连线(2)、所述读入PMOS管(4)、所述漏栅极连接线(11)、PIP下电极连线(10)传入所述PIP电容器(9)进行存储，如果从所述视频数据串行位线(22)传入PIP电容器(9)的信号的数值低于比所述电源线(1)上承载的不低于3.3V的恒定电位值低0.5V的数值，则所述漏栅极连接线(11)启动所述驱动PMOS管(12)进入线性工作状态，进入线性工作状态的所述驱动PMOS管(12)允许不超过100纳安的电流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管(12)流进所述源漏极连接线(17)；如果从所述视频数据串行位线(22)传入PIP电容器(9)的信号的数值不低于比所述电源线(1)上承载的不低于3.3V的恒定电位值低0.5V的数值，则所述漏栅极连接线(11)启动所述驱动PMOS管(12)进入截止 工作状态，进入截止工作状态的所述驱动PMOS管(12)只允许不超过1纳安的电流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管(12)流进所述源漏极连接线(17)，

承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0.5V的电位的所述负相选通线通过所述写出PMOS管栅极连线(28)启动所述写出PMOS管(19)进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述写出PMOS管(19)只允许不超过1纳安的电流从所述源漏极连接线(17)经由所述写出PMOS管(19)流进所述写出PMOS管漏极连线(21)，

2)本阶段开始后的10至800微秒之后的150至250微秒时间内所述正相选通线上承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0.5V的电位，同时的150至250微秒时间内所述负相选通线上承载OV电位，

承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0.5V的电位的所述正相选通线启动所述读入PMOS管(4)进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述读入PMOS管(4)只允许不超过1纳安的电流或从所述读入PMOS管源极连线(2)经由所述读入PMOS管(4)流进所述漏栅极连接线(11)或从所述漏栅极连接线(11)经由所述读入PMOS管(4)流进所述读入PMOS管源极连线(2)，

承载OV电位的所述负相选通线启动所述写出PMOS管(19)导通，如果所述驱动PMOS管(12)处于截止工作状态，则只有不超过1纳安的电流从所述漏栅极连接线(11)经由所述写出PMOS、所述写出PMOS管漏极连线(21)、所述驱动电极连线进入所述OLED发光层驱动电极(38)；如果所述驱动PMOS管(12)处于线性工作状态，则允许不超过100纳安的电流从所述漏栅极连接线(11)经由所述写出PMOS、所述写出PMOS管漏极连线(21)、所述驱动电极连线进入所述OLED发光层驱动电极(38)，

第六阶段：完成视频数据信号第5位写入阶段后进入视频数据信号第6位写入，分别完成如下步骤：

1)本阶段开始后的1至2微秒时间内所述正相选通线上输入OV电位，同时的1至2微秒时间内所述负相选通线上输入不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0.5V的电位，同时的1至2微秒时间内所述视频数据串行位线(22)上输入视频数据信号第6位，

承载OV电位的所述正相选通线启动所述读入PMOS管(4)导通，所述视频数据串行位线(22)中的信号经过所述读入PMOS管源极连线(2)、所述读入PMOS管(4)、所述漏栅极连接线(11)、PIP下电极连线(10)传入所述PIP电容器(9)进行存储，如果从所述视频数据串行位线(22)传入PIP电容器(9)的信号的数值低于比所述电源线(1)上承载的不低于3.3V的恒定电位值低0.5V的数值，则所述漏栅极连接线(11)启动所述驱动PMOS管(12)进入线性工作状态，进入线性工作状态的所述驱动PMOS管(12)允许不超过100纳安的电流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管(12)流进所述源漏极连接线(17)；如果从所述视频数据串行位线(22)传入PIP 电容器(9)的信号的数值不低于比所述电源线(1)上承载的不低于3.3V的恒定电位值低0.5V的数值，则所述漏栅极连接线(11)启动所述驱动PMOS管(12)进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述驱动PMOS管(12)只允许不超过1纳安的电流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管(12)流进所述源漏极连接线(17)，

承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0.5V的电位的所述负相选通线通过所述写出PMOS管栅极连线(28)启动所述写出PMOS管(19)进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述写出PMOS管(19)只允许不超过1纳安的电流从所述源漏极连接线(17)经由所述写出PMOS管(19)流进所述写出PMOS管漏极连线(21)，

2)本阶段开始后的10至800微秒之后的75至150微秒时间内所述正相选通线上承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0.5V的电位，同时的75至150微秒时间内所述负相选通线上承载OV电位，

承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0.5V的电位的所述正相选通线启动所述读入PMOS管(4)进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述读入PMOS管(4)只允许不超过1纳安的电流或从所述读入PMOS管源极连线(2)经由所述读入PMOS管(4)流进所述漏栅极连接线(11)或从所述漏栅极连接线(11)经由所述读入PMOS管(4)流进所述读入PMOS管源极连线(2)，

承载OV电位的所述负相选通线启动所述写出PMOS管(19)导通，如果所述驱动PMOS管(12)处于截止工作状态，则只有不超过1纳安的电流从所述漏栅极连接线(11)经由所述写出PMOS、所述写出PMOS管漏极连线(21)、所述驱动电极连线进入所述OLED发光层驱动电极(38)；如果所述驱动PMOS管(12)处于线性工作状态，则允许不超过100纳安的电流从所述漏栅极连接线(11)经由所述写出PMOS、所述写出PMOS管漏极连线(21)、所述驱动电极连线进入所述OLED发光层驱动电极(38)，

第七阶段：完成视频数据信号第6位写入阶段后进入视频数据信号第7位写入，分别完成如下步骤：

1)本阶段开始后的1至2微秒时间内所述正相选通线上输入OV电位，同时的1至2微秒时间内所述负相选通线上输入不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0.5V的电位，同时的1至2微秒时间内所述视频数据串行位线(22)上输入视频数据信号第7位，

承载OV电位的所述正相选通线启动所述读入PMOS管(4)导通，所述视频数据串行位线(22)中的信号经过所述读入PMOS管源极连线(2)、所述读入PMOS管(4)、所述漏栅极连接线(11)、PIP下电极连线(10)传入所述PIP电容器(9)进行存储，如果从所述视频数据串行位线(22)传入PIP电容器(9)的信号的数值低于比所述电源线(1)上承载的不低于3.3V的恒定电位值低0.5V的数值，则所述漏栅极连接线(11)启动所述驱动PMOS管(12)进入线性工作状态，进入线性工作状态的所述驱动PMOS 管(12)允许不超过100纳安的电流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管(12)流进所述源漏极连接线(17)；如果从所述视频数据串行位线(22)传入PIP电容器(9)的信号的数值不低于比所述电源线(1)上承载的不低于3.3V的恒定电位值低0.5V的数值，则所述漏栅极连接线(11)启动所述驱动PMOS管(12)进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述驱动PMOS管(12)只允许不超过1纳安的电流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管(12)流进所述源漏极连接线(17)，

承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0.5V的电位的所述负相选通线通过所述写出PMOS管栅极连线(28)启动所述写出PMOS管(19)进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述写出PMOS管(19)只允许不超过1纳安的电流从所述源漏极连接线(17)经由所述写出PMOS管(19)流进所述写出PMOS管漏极连线(21)，

2)本阶段开始后的10至800微秒之后的35至100微秒时间内所述正相选通线上承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0.5V的电位，同时的35至100微秒时间内所述负相选通线上承载OV电位，

承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0.5V的电位的所述正相选通线启动所述读入PMOS管(4)进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述读入PMOS管(4)只允许不超过1纳安的电流或从所述读入PMOS管源极连线(2)经由所述读入PMOS管(4)流进所述漏栅极连接线(11)或从所述漏栅极连接线(11)经由所述读入PMOS管(4)流进所述读入PMOS管源极连线(2)，

承载OV电位的所述负相选通线启动所述写出PMOS管(19)导通，如果所述驱动PMOS管(12)处于截止工作状态，则只有不超过1纳安的电流从所述漏栅极连接线(11)经由所述写出PMOS、所述写出PMOS管漏极连线(21)、所述驱动电极连线进入所述OLED发光层驱动电极(38)；如果所述驱动PMOS管(12)处于线性工作状态，则允许不超过100纳安的电流从所述漏栅极连接线(11)经由所述写出PMOS、所述写出PMOS管漏极连线(21)、所述驱动电极连线进入所述OLED发光层驱动电极(38)，

第八阶段：完成视频数据信号第7位写入阶段后进入视频数据信号第8位写入，分别完成如下步骤：

1)本阶段开始后的1至2微秒时间内所述正相选通线上输入OV电位，同时的1至2微秒时间内所述负相选通线上输入不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0.5V的电位，同时的1至2微秒时间内所述视频数据串行位线(22)上输入视频数据信号第8位，

承载OV电位的所述正相选通线启动所述读入PMOS管(4)导通，所述视频数据串行位线(22)中的信号经过所述读入PMOS管源极连线(2)、所述读入PMOS管(4)、所述漏栅极连接线(11)、PIP下电极连线(10)传入所述PIP电容器(9)进行存储，如果从所述视频数据串行位线(22)传入PIP电容器(9)的信号的数值低于比所述电 源线(1)上承载的不低于3.3V的恒定电位值低0.5V的数值，则所述漏栅极连接线(11)启动所述驱动PMOS管(12)进入线性工作状态，进入线性工作状态的所述驱动PMOS管(12)允许不超过100纳安的电流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管(12)流进所述源漏极连接线(17)；如果从所述视频数据串行位线(22)传入PIP电容器(9)的信号的数值不低于比所述电源线(1)上承载的不低于3.3V的恒定电位值低0.5V的数值，则所述漏栅极连接线(11)启动所述驱动PMOS管(12)进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述驱动PMOS管(12)只允许不超过1纳安的电流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管(12)流进所述源漏极连接线(17)，

承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0.5V的电位的所述负相选通线通过所述写出PMOS管栅极连线(28)启动所述写出PMOS管(19)进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述写出PMOS管(19)只允许不超过1纳安的电流从所述源漏极连接线(17)经由所述写出PMOS管(19)流进所述写出PMOS管漏极连线(21)，

2)本阶段开始后的10至800微秒之后的15至50微秒时间内所述正相选通线上承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0.5V的电位，同时的15至50微秒时间内所述负相选通线上承载OV电位，

承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0.5V的电位的所述正相选通线启动所述读入PMOS管(4)进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述读入PMOS管(4)只允许不超过1纳安的电流或从所述读入PMOS管源极连线(2)经由所述读入PMOS管(4)流进所述漏栅极连接线(11)或从所述漏栅极连接线(11)经由所述读入PMOS管(4)流进所述读入PMOS管源极连线(2)，

承载OV电位的所述负相选通线启动所述写出PMOS管(19)导通，如果所述驱动PMOS管(12)处于截止工作状态，则只有不超过1纳安的电流从所述漏栅极连接线(11)经由所述写出PMOS、所述写出PMOS管漏极连线(21)、所述驱动电极连线进入所述OLED发光层驱动电极(38)；如果所述驱动PMOS管(12)处于线性工作状态，则允许不超过100纳安的电流从所述漏栅极连接线(11)经由所述写出PMOS、所述写出PMOS管漏极连线(21)、所述驱动电极连线进入所述OLED发光层驱动电极(38)，

第九阶段：完成视频数据信号第8位写入阶段后进入黑屏信号写入，分别完成如下步骤：

1)本阶段开始后的1至2微秒时间内所述正相选通线上输入OV电位，同时的1至2微秒时间内所述负相选通线上输入不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0.5V的电位，同时的1至2微秒时间内所述视频数据串行位线(22)上输入不低于3.3V的恒定电位值，

承载OV电位的所述正相选通线启动所述读入PMOS管(4)导通，所述视频数据串行位线(22)上承载的不低于3.3V的恒定电位值经过所述读入PMOS管源极连线(2)、 所述读入PMOS管(4)、所述漏栅极连接线(11)、PIP下电极连线(10)传入所述PIP电容器(9)进行存储，且所述漏栅极连接线(11)启动所述驱动PMOS管(12)进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述驱动PMOS管(12)只允许不超过1纳安的电流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管(12)流进所述源漏极连接线(17)，

承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0.5V的电位的所述负相选通线通过所述写出PMOS管栅极连线(28)启动所述写出PMOS管(19)进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述写出PMOS管(19)只允许不超过1纳安的电流从所述源漏极连接线(17)经由所述写出PMOS管(19)流进所述写出PMOS管漏极连线(21)，

2)本阶段开始后的10至800微秒之后的250至350微秒时间内所述正相选通线上承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0.5V的电位，同时的250至350微秒时间内所述负相选通线上承载OV电位，

承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0.5V的电位的所述正相选通线启动所述读入PMOS管(4)进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述读入PMOS管(4)只允许不超过1纳安的电流或从所述读入PMOS管源极连线(2)经由所述读入PMOS管(4)流进所述漏栅极连接线(11)或从所述漏栅极连接线(11)经由所述读入PMOS管(4)流进所述读入PMOS管源极(3)连线(2)，

承载OV电位的所述负相选通线启动所述写出PMOS管(19)导通，且所述驱动PMOS管(12)处于截止工作状态，则只有不超过1纳安的电流从所述漏栅极连接线(11)经由所述写出PMOS、所述写出PMOS管漏极连线、所述驱动电极连线进入所述OLED发光层驱动电极(38)。