[发明专利]一种低成本高可靠的LED陶瓷基板无效
申请号: | 201010624193.X | 申请日: | 2010-12-31 |
公开(公告)号: | CN102148315A | 公开(公告)日: | 2011-08-10 |
发明(设计)人: | 邬若军 | 申请(专利权)人: | 深圳市安培盛科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/64;H01L33/62 |
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地址: | 518111 广东省深圳市平湖鹅公*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 低成本 可靠 led 陶瓷 | ||
技术领域:
本发明涉及半导体照明产品,更具体地说,涉及LED照明元件的基础构件——LED陶瓷基板。
背景技术:
现在应用低温共烧陶瓷技术(LTCC)制作的LED陶瓷封装基座(也称LED陶瓷封装支架),具有高导热、高可靠、高稳定度等特点,代表高功率LED封装基板的发展趋势。
其制作工艺流程包括:制备生瓷带,打孔、浆料填孔、印电极、叠片、等静压、热切、烧结等工艺。
LTCC陶瓷封装基座具有低的热膨胀系数(CTE),可与LED芯片良好匹配;同时银浆填充在导热孔中与陶瓷共烧形成高热导率的银柱,极大的提高了LED发光芯片的散热效率,加上陶瓷固有的耐热耐湿特性,因此LTCC陶瓷基座是一种优良的LED封装材料。
现有的制造工艺中采用高含银量的银浆用于通孔填料、内电极和焊盘印刷,存在缺陷:
1.成本较高,银属于稀有金属,资源有限,非常不利于LED的推广。
2.金属银具有天然的银离子迁移现象,容易引起电极间短路而失效。在银浆中引入10~20%金属钯可以有效减轻银迁移现象,但成本更高。因此用贱金属代替银势在必行。
发明内容:
本发明用铜浆替代银浆,用于通孔填料、印刷内电极和焊盘;所用的铜浆,是以纳米或微米级的铜粉颗粒与玻璃粉、有机黏合剂混合而成,并在烧结过程采用氮气保护工艺措施,克服了铜浆在烧结过程中易氧化的困难,使铜浆替代银浆得以实现。
银的热导率为429W/mk,是自然界热导率最高的金属,铜的热导率为401W/mk,是与银热导率最接近的金属,用铜替代银可以大幅度降低成本,且资源充足;同时铜没有象银一样的离子迁移现象。可以有效解决上述的两个缺陷。
附图说明:
附图名称:LED封装基板的典型结构
附图标注:(1)陶瓷基板(2)陶瓷反射杯(3)LED芯片(4)金丝(5)内电极(6)导热通孔(7)导电通孔(8)焊盘
具体实施方式:
以下结合附图说明发明的具体实施方式:如附图所示,在陶瓷基板(1)上,经打孔形成导热通孔(6)和导电通孔(7),再用铜浆填充通孔;经印电极工序形成内电极(5)和焊盘(8);再经叠片、等静压、热切、烧结等工序形成完整的LED封装基板。附图中,陶瓷反射杯(2)叠加在陶瓷基板(1)上,内电极(5)通过金丝(4)连接到芯片(3)
填充通孔和印电极所用的铜浆,是以纳米或微米级的铜粉颗粒与玻璃粉、有机黏合剂混合而成,为防止烧结时有机黏合剂挥发后铜粉被空气氧化,烧结过程在氮气氛保护中完成。
用铜浆替代银浆的工艺流程中,制备生瓷带、打孔、浆料填孔、印电极、叠片、等静压、热切等工艺均与现有LTCC工艺相同,烧结及后续工序有所不同:银浆在空气中可直接烧结,而铜浆必须在氮气氛保护中烧成。
烧结后可经过化学镀或者电镀的方法在铜表面镀Sn、Ag、Au等,以适应芯片固晶、焊线及SMT工艺。
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