[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一导电类型的第一半导体区；

第二导电类型的第二半导体区，其在所述第一半导体区的表面部分中有选择地形成；

所述第一导电类型的第三半导体区，其在所述第二半导体区的表面部分中有选择地形成；

从所述第三半导体区跨过所述第一半导体区的第一电极，其中在所述第一电极和所述第一半导体区之间插入绝缘薄膜；

连接至所述第二半导体区和所述第三半导体区的第二电极；

在所述第一半导体区和所述第二半导体区之间的所述第一导电类型的第四半导体区，所述第四半导体区至少占据所述第二半导体区之下的一区域；

在所述第一半导体区的背面上的所述第二导电类型的第五半导体区；

与所述第五半导体区接触的第三电极；

所述第四半导体区比所述第一半导体区更重地掺杂，所述第四半导体区包含所述第一导电类型的杂质，其平均杂质量为8.0×10¹¹cm^-2或者更小；

以及

所述第一半导体区呈现足够低的电阻率以防止从所述第五半导体区扩展的耗尽层到达所述第四半导体区。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第四半导体区包围所述第二半导体区之下的整个区域。

3.如权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，所述第四半导体区中的所述第一导电类型的所述杂质的所述平均杂质量为5.0×10¹¹cm^-2或者更小。

4.如权利要求1至3的任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述第四半导体区中的所述第一导电类型的所述杂质的所述平均杂质量为1×10¹¹cm^-2或者更小。

5.如权利要求1至4的任一项所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：

在所述第一半导体区的边缘地区中的所述第二导电类型的第六半导体区，所述第六半导体区从所述第一半导体区的正面穿过所述第一半导体区延伸到所述第一半导体区的背面，且所述第六半导体区与所述第五半导体区接触。

6.如权利要求5所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：

有源区和所述第六半导体区之间的耐击穿区，在所述有源区中形成所述第二半导体区、所述第三半导体区以及所述第四半导体区，所述耐击穿区包围所述有源区；以及

在所述耐击穿区中的所述第一半导体区的表面部分中的所述第二导电类型的第七半导体区，多个所述第七半导体区包围所述有源区。

7.如权利要求1至6的任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述第一半导体区呈现足够低的电阻率以在施加等于额定电压的反向电压时，防止从所述第五半导体区向所述第四半导体区扩展的耗尽层到达所述第四半导体区。

8.如权利要求1至7的任一项所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：

在所述第一半导体区和所述第五半导体区之间的所述第一导电类型的第八半导体区，

以及

所述第一半导体区呈现足够低的电阻率以防止从所述第二半导体区扩展的空间电荷区到达所述第八半导体区。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述第八半导体区中的所述第一导电类型的杂质的平均杂质量为1.0×10¹²cm^-2或者更小。