[发明专利]电解加工方法及电解加工件半成品

权利要求书

1.一种电解加工方法，其特征在于，是包含：

提供一加工件，并形成一金属屏蔽层于该加工件的表面；

提供一电极单元，其相对于该金属屏蔽层，并具有至少一导电加工部；

供应一电解液至该加工件与该电极单元之间；

供应一电源至该加工件及该电极单元；

电解该金属屏蔽层，形成至少一穿透结构于该金属屏蔽层，该穿透结构对应该电极单元的该导电加工部；

穿透该穿透结构以对该加工件进行电解加工，该加工件的电解加工速度大于该金属屏蔽层的电解加工速度，以形成至少一加工结构于该加工件；以及

移除该金属屏蔽层，得到具有该至少一加工结构的该加工件。

2.如权利要求1所述的电解加工方法，其特征在于，其中该形成一金属屏蔽层于该加工件的表面包含利用一无电镀方式形成该金属屏蔽层于该加工件上。

3.如权利要求1所述的电解加工方法，其特征在于，其中该金属屏蔽层的厚度是介于2μm与5μm之间。

4.如权利要求1所述的电解加工方法，其特征在于，其中该加工件的材料为镁、铝、铜或锂，且该金属屏蔽层的材料为铬、镍或锰。

5.如权利要求1所述的电解加工方法，其特征在于，其中该金属屏蔽层的导电度小于该加工件的导电度。

6.如权利要求1所述的电解加工方法，其特征在于，其中该金属屏蔽层的体积电化学当量小于该加工件的体积电化学当量。

7.一种电解加工方法，其特征在于，是包含：

提供一加工件；

利用一具有至少一穿透结构的金属屏蔽层遮覆该加工件的表面，以裸露出部分该加工件的表面；

提供一电极单元，其相对于该金属屏蔽层，并具有至少一导电加工部，该导电加工部相对于该金属屏蔽层的该穿透结构；

供应一电解液至该加工件与该电极单元之间；

供应一电源至该加工件及该电极单元；

对该裸露出部分的该加工件的表面进行电解加工，该加工件的电解加工速度大于该金属屏蔽层的电解加工速度，以形成至少一加工结构于该加工件；以及移除该金属屏蔽层，以得到具有该至少一加工结构的该加工件。

8.如权利要求7所述的电解加工方法，其特征在于，其中该加工件的材料为镁、铝、铜或锂，且该金属屏蔽层的材料为铬、镍或锰。

9.一种电解加工件半成品，其特征在于，是包含：

一加工件；以及

一金属屏蔽层，形成于该加工件的表面，其中该金属屏蔽层的导电度小于该加工件的导电度。

10.一种电解加工件半成品，其特征在于，是包含：

一加工件；以及

一金属屏蔽层，形成于该加工件的表面，其中该金属屏蔽层的体积电化学当量小于该加工件的体积电化学当量。