[发明专利]具有基本上无定形纳米复合材料主相的漫反射偏振器无效
申请号: | 201010625001.7 | 申请日: | 2010-11-19 |
公开(公告)号: | CN102167881A | 公开(公告)日: | 2011-08-31 |
发明(设计)人: | J·格林纳;周伟俊;米向东 | 申请(专利权)人: | SKC哈斯显示器薄膜有限公司 |
主分类号: | C08L53/02 | 分类号: | C08L53/02;C08L67/02;C08L67/00;G02B5/30 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陈哲锋 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 基本上 无定形 纳米 复合材料 漫反射 偏振 | ||
1.一种具有层的漫反射偏振器,所述层包含:
第一聚合物和分散在第一聚合物主相中的第二聚合物,所述第一聚合物是基本上无定形纳米复合材料且是主相,所述第一聚合物具有低于约0.02的双折射率,所述第二聚合物是分散次相,所述主相和次相沿第一轴方向的折射率相差大于0.05和沿着垂直于第一轴的第二轴方向的折射率相差低于约0.05;
其中主相包括连续无定形相和分散在所述连续无定形相的区域中的至少一种附加相,所述区域在至少一个维度上的特征尺寸小于光的波长,使得这些区域不会促进光穿过第一聚合物散射;
其中所述第一和第二聚合物沿着至少一个轴对电磁辐射的至少一种偏振态的漫反射率至少是约50%。
2.如权利要求1所述的漫反射偏振器,其中第一聚合物为环状嵌段共聚物。
3.如权利要求2所述的漫反射偏振器,其中环状嵌段共聚物由基本上完全氢化的阴离子聚合的乙烯基芳香族-共轭二烯嵌段共聚物制成。
4.如权利要求3所述的漫反射偏振器,其中乙烯基芳族嵌段共聚物包括苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯的全部异构体(尤其是对乙烯基甲苯),乙基苯乙烯的全部异构体,丙基苯乙烯,丁基苯乙烯,乙烯基联苯,乙烯基萘,乙烯基蒽等,或它们的混合物。
5.如权利要求3的漫反射偏振器,其中共轭二烯嵌段共聚物包括丁二烯、2-甲基-1,3-丁二烯、2-甲基-1,3-戊二烯、异戊二烯或它们的混合物。
6.如权利要求1的漫反射偏振器,其中分散到第一聚合物的其他相包含纳米尺度颗粒。
7.如权利要求1的漫反射偏振器,其中第一聚合物包含环状嵌段共聚物和另一种非-嵌段共聚物的可混溶的混合物,所述另一种非-嵌段共聚物包括氢化的乙烯基芳族的均聚物或无规共聚物,环烯烃聚合物,环烯烃共聚物,丙烯酸聚合物,丙烯酸共聚物或它们的混合物。
8.如权利要求1的漫反射偏振器,其中第二聚合物包含PET或PEN或其 他聚酯。
9.如权利要求1的漫反射偏振器,其中第二聚合物包含两种或多种聚合物的可混溶性聚酯混合物和酯交换抑制剂。
10.如权利要求1的漫反射偏振器,其中包含第一和第二聚合物的层的每个侧面进一步包括保护层。
11.一种具有层的漫反射偏振器,所述层包含:
第一聚合物和分散在第一聚合物主相中的第二聚合物,所述第一聚合物是基本上无定形纳米复合材料且是主相,所述第一聚合物具有低于约0.02的双折射率,所述第二聚合物是分散的次相,所述主相和次相沿第一轴方向的折射率相差大于约0.05和沿着垂直于第一轴的第二轴方向的折射率相差低于约0.05;
其中主相包括连续无定形相和分散在所述连续无定形相的区域中的至少一种其他相,所述区域在至少一个维度上的特征尺寸小于光的波长,使得这些区域不会促进光穿过第一聚合物散射;
其中所述第一和第二聚合物沿着第一轴对电磁辐射的第一偏振态呈现了漫反射率R1d,镜面反射率R1s,总反射率R1t,漫透射率T1d,镜面透射率T1s,和总透射率T1t,沿第二轴对电磁辐射的另一个偏振态呈现了漫反射率R2d,镜面反射率R2s,总反射率R2t,漫透射率T2d,镜面透射率T2s,和总透射率T2t,所述第一轴和第二轴互相垂直,其中:
R1d大于R1s;和
T2t/(1-0.5(R1t+R2t))>1.35。
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