[发明专利]用于比较SeOI上的内容寻址存储器中数据的装置

权利要求书

1.一种比较内容寻址存储器中的数据的装置，该装置包括：

存储器单元，所述存储器单元由存储数据比特(BIT)的第一晶体管(T1)和存储所述数据比特的补码(BITb)的第二晶体管(T2)形成，所述晶体管被制造在绝缘体上半导体衬底上并且所述晶体管中的每一个都具有前控制栅极(CG)和后控制栅极(BG1、BG2)，所述前控制栅极和所述后控制栅极能够被控制以截止所述晶体管；

比较电路，所述比较电路被配置为执行以下操作：

通过向所述晶体管中的每一个的所述前控制栅极施加标定的读电压，同时控制所述晶体管中的每一个的所述后控制栅极，使得一个晶体管具有所提出的比特(DATA)，另一个晶体管具有所提出比特的补码(DATAb)，以在所提出的比特(DATA)和存储的比特(BIT)一致的情况下截止所述晶体管中的导通晶体管，从而在读模式下操作所述第一晶体管和所述第二晶体管；

和

检测在连接到所述晶体管中的每一个的源极的源极线(SL)上是否存在电流，以指示所提出的比特(DATA)和存储的比特(BIT)是否相同。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述比较电路被配置为向所述第一晶体管的所述后控制栅极(BG1)提供所提出的比特的补码(DATAb)，并向所述第二晶体管的所述后控制栅极(BG2)提供所提出的比特(DATA)。

3.根据前述权利要求中一项所述的装置，其中，所述绝缘体上半导体衬底包括通过绝缘层而与基体衬底分隔开的半导体材料的薄膜，并且所述晶体管的所述后控制栅极以面对所述晶体管的沟道的方式被布置在在所述绝缘层下的所述基体衬底中。

4.根据前述权利要求中一项所述的装置，其中，所述晶体管中的每一个的所述后控制栅极被具有反向偏置的阱在所述基体衬底中隔离。

5.根据前述权利要求中一项所述的装置，其中，所述晶体管中的每一个的所述后控制栅极都具有功函数。

6.根据前述权利要求中一项所述的装置，其中，所述比较电路还被配置为执行三态操作，所提出的比特在三态操作期间被忽略。

7.根据权利要求6所述的装置，其中，在三态操作期间，所述比较电路在读模式下操作所述第一晶体管和所述第二晶体管，同时以同一个电压来控制所述晶体管中的每一个的所述后控制栅极，该同一个电压被选择为使得通常导通的晶体管被截止。

8.根据前述权利要求中一项所述的装置，该装置还包括用于控制所述存储器单元的电路，该电路被配置为在读模式、编程模式和擦除模式中通过以同一个电压控制所述晶体管中的每一个的所述后控制栅极来操作所述晶体管，该同一个电压被选择为使得导通的晶体管不被截止。

9.根据前述权利要求中一项所述的装置，该装置还包括用于控制所述存储器单元的电路，该电路被配置为在保持模式下通过以同一个电压控制所述晶体管中的每一个的所述后控制栅极来操作所述晶体管，该同一个电压被选择为使得导通晶体管被截止。

10.根据前述权利要求中一项所述的装置，该装置包括两条平行的后选通线，所述后选通线中的每一条都连接到所述晶体管中的一个的所述后控制栅极。

11.根据权利要求10所述的装置，其中，字线连接所述晶体管的所述前控制栅极，所述字线垂直于所述后选通线。

12.根据权利要求1到11中一项所述的装置，其中，所述晶体管是浮置栅极FET晶体管，所述绝缘体上半导体衬底包括通过绝缘层与基体衬底分隔开的半导体材料的薄膜，并且晶体管的所述后控制栅极被布置在所述基体衬底中，所述后控制栅极通过所述绝缘层与所述晶体管的沟道分隔开。

13.根据权利要求1到11中一项所述的装置，其中，所述晶体管是浮置沟道FET晶体管，所述绝缘体上半导体衬底包括通过绝缘层与基体衬底分隔开的半导体材料的薄膜，并且晶体管的所述后控制栅极被布置在所述基体衬底中，所述后控制栅极通过所述绝缘层与所述晶体管的沟道分隔开。