[发明专利]使用半导体纳米晶体的太阳能电池模块无效

专利信息
申请号: 201010625042.6 申请日: 2010-12-15
公开(公告)号: CN102163636A 公开(公告)日: 2011-08-24
发明(设计)人: 朴铉定;郑智元 申请(专利权)人: LG电子株式会社
主分类号: H01L31/055 分类号: H01L31/055;H01L31/048
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;汤俏
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 使用 半导体 纳米 晶体 太阳能电池 模块
【权利要求书】:

1.一种太阳能电池模块,该太阳能电池模块包括:

多个太阳能电池,各个太阳能电池包括至少一个光电转换层;

设置在所述多个太阳能电池的上表面上的至少一个透明部件;以及

用于密封所述多个太阳能电池的填充层,

其中,从所述至少一个透明部件和所述填充层中选择的至少一层包含半导体纳米晶体。

2.如权利要求1所述的太阳能电池模块,该太阳能电池模块还包括设置在所述多个太阳能电池的下表面上的背板。

3.如权利要求1所述的太阳能电池模块,其中,所述至少一个透明部件包括透明树脂膜。

4.如权利要求1所述的太阳能电池模块,其中,所述至少一个透明部件包括刚性透明基板和透明树脂膜,并且,所述透明树脂膜包含所述半导体纳米晶体。

5.如权利要求4所述的太阳能电池模块,其中,所述刚性透明基板是玻璃基板。

6.如权利要求4所述的太阳能电池模块,其中,所述透明树脂膜形成在所述刚性透明基板的正面和背面中的至少一个上。

7.如权利要求3所述的太阳能电池模块,其中,所述透明树脂膜是有机树脂膜或者氟化物树脂膜。

8.如权利要求1所述的太阳能电池模块,其中,所述半导体纳米晶体将波长为大约300nm至500nm的入射光转换成波长为大约600nm至1100nm的发射光。

9.如权利要求1所述的太阳能电池模块,其中,所述半导体纳米晶体的直径在大约1nm至100nm的范围内。

10.如权利要求1所述的太阳能电池模块,其中,所述半导体纳米晶体发射的光的光子的数量大于入射到所述半导体纳米晶体上的光的光子的数量。

11.如权利要求1所述的太阳能电池模块,其中,所述半导体纳米晶体具有核-壳结构,并且所述半导体纳米晶体的核和壳的材料相同或者不同。

12.如权利要求1所述的太阳能电池模块,其中,相对于其中包含了所述半导体纳米晶体的所述至少一层的重量,所述半导体纳米晶体的量在重量上为大约1%至10%

13.如权利要求1所述的太阳能电池模块,其中,所述半导体纳米晶体是从包括IV族元素、IIA-VIB族化合物、IIIA-VB族化合物、以及IIIB-VB族化合物的组中选择的至少一种的晶体。

14.如权利要求1所述的太阳能电池模块,其中,所述填充层由乙烯-醋酸乙烯共聚物制成。

15.如权利要求1所述的太阳能电池模块,其中,所述多个太阳能电池是从包括薄膜硅太阳能电池、晶体硅太阳能电池、化合物太阳能电池、染料敏化太阳能电池、以及有机太阳能电池的组中选择的一种。

16.一种太阳能电池,该太阳能电池包括:

至少一个光电转换层;以及

设置在所述光电转换层的光入射表面上的至少一层,

其中,所述至少一层包含半导体纳米晶体。

17.如权利要求16所述的太阳能电池,其中,所述至少一层是包括两层或者更多层的至少一个防反射膜,并且,所述两层或者更多层中的最上层包含所述半导体纳米晶体。

18.如权利要求16所述的太阳能电池,其中,所述至少一个光电转换层包括:第一导电类型的半导体基板;以及射极层,该射极层掺杂有第二导电类型的杂质,并且设置在所述第一导电类型的半导体基板上,并且,

所述太阳能电池还包括:

连接到所述射极层的第一电极;以及

连接到所述第一导电类型的半导体基板的第二电极。

19.如权利要求18所述的太阳能电池,其中,所述至少一层是至少一个防反射膜,并且所述至少一个防反射膜包括:

第一防反射膜,其包括至少一层,并且形成在所述射极层的上表面,使得所述第一电极通过所述第一防反射膜而连接到所述射极层;以及

第二防反射膜,其形成在所述第一防反射膜的正面,并且包含所述半导体纳米晶体。

20.如权利要求16所述的太阳能电池,其中,所述半导体纳米晶体是从包括IV族元素、IIA-VIB族化合物、IIIA-VB族化合物、IIIB-VB族化合物或其组合的组中选择的至少一种的晶体。

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