[发明专利]光酸发生剂和包含该光酸发生剂的光致抗蚀剂有效
申请号: | 201010625286.4 | 申请日: | 2010-12-10 |
公开(公告)号: | CN102225924A | 公开(公告)日: | 2011-10-26 |
发明(设计)人: | 李明琦;E·阿恰达;刘骢;J·玛蒂亚;C-B·徐;G·G·巴克利 | 申请(专利权)人: | 罗门哈斯电子材料有限公司 |
主分类号: | C07D333/46 | 分类号: | C07D333/46;C07D493/18;C07C309/12;C07C303/32;C07C381/12;C07J31/00;G03F7/004;G03F7/26 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陈哲锋 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发生 包含 光致抗蚀剂 | ||
1.一种含锍化合物的制备方法,所述制备方法包括环合烷基硫代化合物。
2.权利要求1的制备方法,其中烷基硫代化合物具有通式
R-S(CH2)n(CH2LG),其中:
R是非氢取代基;
n是3到6的整数;以及
LG是离去基团。
3.权利要求1或2的制备方法,其中含锍化合物与氟代磺酸连接。
4.权利要求3的制备方法,其中氟代磺酸具有通式R(CH2)n(CF2)2SO3-,其中n是2到8的整数,以及R是非氢取代基。
5.权利要求1-4中任一项的制备方法,其中制备得到的光酸发生剂化合物选自下列通式(Ⅰ)和(Ⅱ):
其中,每个通式Ⅰ和Ⅱ中,R是氢或非氢取代基,如直链,支链或环状的C1-20的烷基。
6.权利要求5的制备方法,其中R是叔丁基。
7.一种含有阴离子组分的光酸发生剂化合物,所述化合物选自下列:
8.一种光酸发生剂化合物,所述化合物选自下列:
其中,R1,R2和R3各自独立是相同或不同的非氢取代基;
其中R1,R2和R3各自独立是相同或不同的非氢取代基。
9.一种光酸发生剂化合物,所述化合物选自下列通式(Ⅰ)和(Ⅱ):
其中,每个通式Ⅰ和Ⅱ中,R是氢或非氢取代基,如直链,支链或环状的C1-20的烷基。
10.权利要求8的光酸发生剂化合物,其中R是叔丁基。
11.根据权利要求1-4中任一项的制备方法制备得到的光酸发生剂化合物,其中光酸发生剂化合物选自下列通式(Ⅰ)和(Ⅱ):
其中,每个通式Ⅰ和Ⅱ中,R是氢或非氢取代基,如直链,支链或环状的C1-20的烷基。
12.权利要求11的光酸发生剂化合物,其中R是叔丁基。
13.一种光致抗蚀剂组合物,所述组合物包括树脂组分和权利要求7-12中任一项所述的光酸发生剂化合物。
14.一种形成光致抗蚀剂浮雕图像的方法,包括:
a)将具有权利要求13所述光致抗蚀剂组合物的涂层施加到基底上;
b)用形成图案的激发辐射曝光光致抗蚀剂涂层,以及使曝光的光致抗蚀剂涂层显影以提供一种浮雕图像。
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