[发明专利]共享字线的无触点分栅式闪存制造方法

权利要求书

1.一种共享字线的无触点分栅式闪存制造方法，其特征在于，包括下列步 骤：

提供一半导体衬底，并依次沉积第一氧化层、浮栅多晶硅层、第二氧化层、 控制栅多晶硅层和氮化硅层；

对所述氮化硅层进行干法刻蚀直至露出所述控制栅多晶硅层，形成多个凹 槽；

对所述凹槽内的所述控制栅多晶硅层进行干法刻蚀，并进一步刻蚀所述第 二氧化层直至露出所述浮栅多晶硅层；

在露出所述浮栅多晶硅层的凹槽侧壁沉积形成第一侧墙氧化物层；

对侧壁形成有第一侧墙氧化物层的凹槽内的所述浮栅多晶硅层进行干法刻 蚀，并进一步刻蚀所述第一氧化层直至露出所述半导体衬底；

对露出所述半导体衬底的凹槽底部的半导体衬底进行离子注入，形成位线；

在所述露出所述半导体衬底的凹槽侧壁沉积形成第二侧墙氧化物层；

在上述结构表面沉积位线多晶硅，对所述位线多晶硅进行研磨并进一步干 法刻蚀直至所述位线多晶硅的高度降至侧壁形成有第二侧墙氧化物层的凹槽顶 面以下；

在上述结构表面沉积绝缘层，并对其进行研磨直至填满所述侧壁形成有第 二侧墙氧化物层的凹槽；

湿法刻蚀去除所述氮化硅层，并在上述结构表面沉积第三侧墙氧化物层；

对所述第三侧墙氧化物层进行干法刻蚀形成第一侧墙，并进一步干法刻蚀 去除部分控制栅多晶硅层和部分第二氧化层直至露出所述浮栅多晶硅层；

在上述结构表面沉积第四侧墙氧化物，对其进行干法刻蚀形成第二侧墙， 并进一步干法刻蚀去除部分浮栅多晶硅层和湿法刻蚀部分第一氧化层直至露出 所述半导体衬底；

在上述结构的部分表面上沉积隧穿氧化物层；

在上述结构的全部表面上沉积字线多晶硅。

2.根据权利要求1所述的共享字线的无触点分栅式闪存制造方法，其特征 在于，所述第一氧化层的厚度为大于等于100埃。

3.根据权利要求1所述的共享字线的无触点分栅式闪存制造方法，其特征 在于，所述浮栅多晶硅层的厚度为500埃～800埃。

4.根据权利要求1所述的共享字线的无触点分栅式闪存制造方法，其特征 在于，所述第二氧化层的厚度为大于等于200埃。

5.根据权利要求1所述的共享字线的无触点分栅式闪存制造方法，其特征 在于，所述控制栅多晶硅层的厚度为大于等于600埃。

6.根据权利要求1所述的共享字线的无触点分栅式闪存制造方法，其特征 在于，所述氮化硅层的厚度为4000埃～6000埃。

7.根据权利要求1所述的共享字线的无触点分栅式闪存制造方法，其特征 在于，所述第一侧墙氧化物层的厚度为大于等于3000埃。

8.根据权利要求1所述的共享字线的无触点分栅式闪存制造方法，其特征 在于，所述第二侧墙氧化物层的厚度为大于等于500埃。

9.根据权利要求1所述的共享字线的无触点分栅式闪存制造方法，其特征 在于，所述位线多晶硅的厚度为大于等于1900埃。

10.根据权利要求1所述的共享字线的无触点分栅式闪存制造方法，其特征 在于，所述绝缘层的厚度为大于等于4000埃。

11.根据权利要求1所述的共享字线的无触点分栅式闪存制造方法，其特征 在于，所述第四侧墙氧化物的厚度为大于等于500埃。

12.根据权利要求1所述的共享字线的无触点分栅式闪存制造方法，其特征 在于，所述隧穿氧化物层的厚度为大于等于150埃。

13.根据权利要求1所述的共享字线的无触点分栅式闪存制造方法，其特征 在于，所述字线多晶硅的厚度为大于等于1900埃。