[发明专利]金属硅化物阻挡结构形成方法有效
| 申请号： | 201019063033.X | 申请日： | 2010-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN101834131A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 石小兵;奚裴 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属硅 阻挡 结构 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种金属硅化物阻挡结构形成方法，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上依次形成阻挡层以及图形化光阻层；
执行第一干法蚀刻工艺；
执行第二干法蚀刻工艺，所述第二干法蚀刻工艺的功率小于所述第一干法蚀刻工艺的功率；
执行湿法蚀刻工艺，以形成金属硅化物阻挡结构。
2.如权利要求1所述的金属硅化物阻挡结构形成方法，其特征在于，所述阻挡层的材质为二氧化硅。
3.如权利要求2所述的金属硅化物阻挡结构形成方法，其特征在于，所述第一干法蚀刻工艺的功率大于300W。
4.如权利要求3所述的金属硅化物阻挡结构形成方法，其特征在于，所述第二干法蚀刻工艺的功率为120～150W。
5.如权利要求2所述的金属硅化物阻挡结构形成方法，其特征在于，所述第一干法蚀刻工艺的磁场为20～30Gauss。
6.如权利要求5所述的金属硅化物阻挡结构形成方法，其特征在于，所述第二干法蚀刻工艺的磁场为0～5Gauss。
7.如权利要求2所述的金属硅化物阻挡结构形成方法，其特征在于，所述湿法蚀刻工艺是利用氢氟酸溶液实现。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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