[发明专利]一种可减少缺陷的显影方法无效
| 申请号： | 201019063040.X | 申请日： | 2010-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN101770185A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 李钢 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/30 | 分类号： | G03F7/30 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 减少 缺陷 显影 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种可减少缺陷的显影方法，包括以下步骤：a、提供显影模块和表面涂敷有光刻胶且已完成曝光工艺的晶圆，该显影模块具有承片台和显影喷头；b、将该晶圆设置在该承片台上且驱动显影喷头扫描喷涂显影液；c、静置预设时段使显影液与光刻胶反应；其特征在于，在步骤b中，显影喷头扫描喷涂显影液的速度范围为65至75mm/s。
2.如权利要求1所述的可减少缺陷的显影方法，其特征在于，在步骤b中，显影喷头扫描喷涂显影液的速度为65mm/s。
3.如权利要求1所述的可减少缺陷的显影方法，其特征在于，在步骤b中，显影喷头扫描喷涂显影液的速度为70mm/s。
4.如权利要求1所述的可减少缺陷的显影方法，其特征在于，在步骤b中，显影喷头扫描喷涂显影液的速度为75mm/s。
5.如权利要求1所述的可减少缺陷的显影方法，其特征在于，在步骤c中，该预设时段范围为44至55s。
6.如权利要求5所述的可减少缺陷的显影方法，其特征在于，在步骤c中，该预设时段为50s。
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