[发明专利]BaGa4Se7化合物、BaGa4Se7非线性光学晶体及制法和用途

权利要求书

1.一种化学式为BaGa₄Se₇的化合物。

2.一种权利要求1所述BaGa₄Se₇化合物的制备方法，其步骤如下：

将Ba源材料、Ga源材料和单质Se按照摩尔比Ba∶Ga∶Se＝1∶4∶7的比例配料并混合均匀后，加热至800-950℃进行固相反应，得到化学式为BaGa₄Se₇的化合物；

所述Ba源材料为钡单质或硒化钡；

所述Ga源材料为镓单质或三硒化二镓。

3.按权利要求2所述BaGa₄Se₇化合物的制备方法，其特征在于，所述加热进行固相反应的步骤是：将上述配料研磨之后装入石英管中，对石英管抽真空至10^-3pa并进行熔化封装，放入马弗炉中，以10-50℃/小时的速率升温至800-950℃，恒温48小时，待冷却后取出样品；对取出的样品重新研磨混匀再置于石英管中抽真空至10^-3pa并进行熔化封装，再放入马弗炉内升温至800-950℃烧结24小时；将样品取出，并捣碎研磨得粉末状BaGa₄Se₇化合物。

4.一种BaGa₄Se₇非线性光学晶体，该BaGa₄Se₇非线性光学晶体不具备有对称中心，属单斜晶系，空间群为Pc，其晶胞参数为： α＝γ＝90°，β＝121.24(2)°。

5.一种权利要求4所述BaGa₄Se₇非线性光学晶体的制备方法，其为高温熔体自发结晶法生长BaGa₄Se₇非线性光学晶体，其步骤为：将粉末状BaGa₄Se₇化合物加热至熔化得高温熔液并保持24-96小时后，以1-10℃/小时的降温速率降温至室温，得到黄色透明的BaGa₄Se₇晶体。

6.按权利要求5所述BaGa₄Se₇非线性光学晶体的制备方法，其特征在于，所述粉末状BaGa₄Se₇化合物的制备如下：

将Ba源材料、Ga源材料和单质Se按照摩尔比Ba∶Ga∶Se＝1∶4∶7的比例混合均匀后，加热进行固相反应，得到化学式为BaGa₄Se₇的化合物，经捣碎研磨得粉末状BaGa₄Se₇的化合物；

所述Ba源材料为钡单质或硒化钡；

所述Ga源材料为镓单质或三硒化二镓。

7.一种权利要求4所述BaGa₄Se₇非线性光学晶体的制备方法，其为助熔剂法生长BaGa₄Se₇非线性光学晶体，其步骤如下：

将BaGa₄Se₇化合物与助熔剂按质量份为1∶0.5-5的比例配料，加热至750-900℃并恒温2-6天，然后以1-10℃/小时的降温速率降至室温，得到黄色透明的BaGa₄Se₇晶体； 

所述助熔剂为KCl、KBr或Li₂Se。