[实用新型]具有两组电极的垂直结构LED芯片

权利要求书

1.一种具有两组电极的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述的具有两组电极的垂直结构LED芯片包括，导电的支持衬底和外延层；所述的外延层包括N-类型限制层、活化层和P-类型限制层；所述的P-类型限制层键合在所述的导电的支持衬底上；所述的具有两组电极的垂直结构LED芯片具有两组电极，所述的每组电极包括P-电极和N-电极；所述的导电的支持衬底是所述的两组电极的共同的所述的P-电极；每组的所述的N-电极分别形成在所述的N-类型限制层的预定位置上。

2.根据权利要求1所述的具有两组电极的垂直结构LED芯片，其特征是，所述的导电的支持衬底是，导电硅衬底或钨铜衬底。

3.根据权利要求1所述的具有两组电极的垂直结构LED芯片，其特征是，每组的所述的N-电极具有多齿叉形状，两组的所述的N-电极互相交错，使得电流分布均匀。

4.根据权利要求1所述的具有两组电极的垂直结构LED芯片，其特征是，每组的所述的N-电极包括至少一个打线焊盘。

5.根据权利要求1所述的具有两组电极的垂直结构LED芯片，其特征是，所述的N-类型限制层的表面形成粗化结构或光子晶体结构。

6.根据权利要求1所述的具有两组电极的垂直结构LED芯片，其特征是，所述的N-电极和所述的N-类型限制层之间形成一透明电极。

7.根据权利要求6所述的具有两组电极的垂直结构LED芯片，其特征是，所述的透明电极的表面形成粗化结构。